Aktivierung
Unmittelbar nach der Ionenimplantation befinden sich die Dotieratome noch nicht auf Gitterplätzen des Siliciumkristallgitters. Das Verfahren mit dem man die Dotieratome in das Gitter einbaut, nennt man Aktivierung. Dies erfolgt durch eine Temperaturbehandlung (Tempern) der Wafer. Eine Aktivierung der Dotierung ist notwendig, da nur auf Gitterplätzen sitzende Dotieratome bewegliche Ladungen (Elektronen bzw. Löcher) erzeugen, und so die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterkristalls beeinflussen können, was letztendlich das Ziel jeder Dotierung ist.