CDE
CDE (chemical dry etching) bezeichnet ein chemisches Trockenätzverfahren, bei dem das Plasma nicht - wie sonst beim Trockenätzen üblich - in der Ätzkammer erzeugt wird.
Die für die chemische Ätzung verantwortlichen Radikale werden dann vom Ort der Plasmaerzeugung über ein Keramikrohr in die Ätzkammer geleitet. Dadurch erzielt man eine bessere Homogenität der Ätzung und einen besseren Schutz der Wafer vor dem Plasma.
Voraussetzung für dieses Ätzverfahren ist, dass die Reaktionsprodukte gasförmig sind und abgesaugt werden können, und dass die Lebensdauer der im Plasma erzeugten freien Radikale lang genug ist, um den Wafer zu erreichen.
Die für die chemische Ätzung verantwortlichen Radikale werden dann vom Ort der Plasmaerzeugung über ein Keramikrohr in die Ätzkammer geleitet. Dadurch erzielt man eine bessere Homogenität der Ätzung und einen besseren Schutz der Wafer vor dem Plasma.
Voraussetzung für dieses Ätzverfahren ist, dass die Reaktionsprodukte gasförmig sind und abgesaugt werden können, und dass die Lebensdauer der im Plasma erzeugten freien Radikale lang genug ist, um den Wafer zu erreichen.