Channeling
Der Channeling-Effekt tritt beim Implantationsprozess auf. Das Substrat besteht aus regelmäßig angeordneten Siliciumatome, so dass "Kanäle" entstehen. Die eingeschossenen Teilchen können sich dann parallel zu diesen Kanälen bewegen, werden nur schwach abgebremst und dringen sehr tief in das Substrat ein.
Um das Channeling zu verhindern kann der Wafer gekippt zum Ionenstrahl ausgerichtet werden, oder es wird eine Oxidschicht auf der Waferoberfläche aufgebracht, durch die die beschleunigten Ionen ablenkt werden.