Implantation
Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur lokalen Dotierung von Wafern. Dabei werden Ionen in einem elektrischen Feld beschleunigt und auf die Wafer gelenkt. Die Eindringtiefe lässt sich sehr genau festlegen, indem die zur Beschleunigung der Ionen benötigte Spannung verringert oder erhöht wird. Da der Prozess bei Raumtemperatur stattfindet können vorher eingebrachte Dotierungen nicht ausdiffundieren. Stellen, die nicht dotiert werden sollen, werden mit einer Maske aus Lack verdeckt.
Durch eine Temperaturbehandlung werden Kristallfehler ausgeheilt, die durch die eingeschossenen Dotieratome verursacht wurden. Zusätzlich werden die Fremdatome auf Gitterplätze bewegt und so "aktiviert" (nach der Implantation sind nur ca. 5% der Atome im Kristallgitter eingebunden).
Um das Channeling zu verhindern werden die Wafer um 7° gekippt zum Ionenstrahl ausgerichtet oder eine Oxidschicht auf dem Wafern aufgebracht, die die Ionen ablenkt.
Durch eine Temperaturbehandlung werden Kristallfehler ausgeheilt, die durch die eingeschossenen Dotieratome verursacht wurden. Zusätzlich werden die Fremdatome auf Gitterplätze bewegt und so "aktiviert" (nach der Implantation sind nur ca. 5% der Atome im Kristallgitter eingebunden).
Um das Channeling zu verhindern werden die Wafer um 7° gekippt zum Ionenstrahl ausgerichtet oder eine Oxidschicht auf dem Wafern aufgebracht, die die Ionen ablenkt.