Mehrlagenverdrahtung

Die Verdrahtung kann in einer integrierten Schaltung über 80 % der Chipfläche einnehmen, darum wurden Techniken entwickelt, mit denen man die Verdrahtung in mehrere Ebenen übereinander legt. So lässt sich die Summe der Leiterbahnen bei nur einer zusätzlichen Ebene um bis zu 30 % verringern. Dennoch kann die Gesamtlänge aller Leiterbahnen in modernen Mikrochips bis weit über 10 km(!) betragen.

Zwischen den Verdrahtungsebenen sind Isolationsschichten aufgebracht, durch Kontaktöffnungen (VIA, vertical interconnect access) werden die einzelnen Ebenen miteinander verbunden. Dabei sind heute sieben und mehr Verdrahtungsebenen gebräuchlich. Steile Kanten und Stufen müssen entschärft werden, da die Konformität der aufgebrachten Metallisierungen gering ist und somit Engstellen entstehen, die wiederum durch sehr hohe Stromdichten belastet werden. Folge: die Leiterbahnen altern frühzeitig oder reißen ab. Um die Kanten bzw. Stufen zu entfernen gibt es mehrere Möglichkeiten zur Planarisierung, die im folgenden erläutert werden.

BPSG-Reflow

Bei der Reflowtechnik werden Schichten aus dotierten Gläsern auf dem Wafer aufgebracht. Weit verbreitet sind Phosphorsilicatglas (PSG) und Borphosphorsilicatglas (BPSG). In einem Hochtemperaturschritt verfließen die Gläser und bilden eine ebene Oberfläche: bei PSG und BPSG geschieht dies bei ca. 900 °C. Zur Planarisierung auf einer Verdrahtungsebene ist diese Technik jedoch nicht geeignet, da das Aluminium unter den hohen Temperaturen aufschmelzen würde.

Reflowrückätzen

Auf dem Wafer wird eine Siliciumdioxidschicht aufgebracht, die mindestens so dick ist wie die höchste Stufe auf der Scheibe. Auf der Oxidschicht wird eine Lack- oder Polyimidschicht aufgeschleudert und zur Stabilisierung thermisch behandelt (siehe Fototechnik); durch die Temperatur verfließt die Schicht.

Im Trockenätzverfahren werden der Lack bzw. das Polyimid und das Siliciumdioxid mit gleichen Ätzraten abgetragen, so dass eine eingeebnete Oxidoberfläche zurückbleibt.

Reflowätzen, Isotrope und anisotrope Ätzung

Neben der Technik mit Lack oder Polyimid kann auch so genanntes Spin On Glas (SOG) auf dem Wafer aufgebracht werden. Ebenfalls im Schleuderverfahren entsteht so direkt eine planarisierte Schicht, die durch eine thermische Behandlung stabilisiert wird. Die vorhergehende Siliciumdioxidschicht ist hierbei nicht erforderlich. Diese Techniken bieten jedoch keine Homogenität über den gesamten Wafer, sondern gleichen nur lokal Stufen aus.

Chemisch mechanisches Polieren

Beim chemisch mechanischen Polieren (auch chemisch mechanisches Planarisieren, kurz CMP) wird im Gegensatz zu den Reflowtechniken eine Homogenität über die gesamte Scheibenoberfläche erzielt. Dies ist vor allem im Hinblick auf lithografische Prozesse wichtig, die zur korrekten Belichtung eine möglichst planare Oberfläche benötigen. Ebenso ist eine Waferoberfläche ohne Topografie für alle nachfolgenden Schichten von Vorteil.

Der Wafer wird dazu in einem Chuck mit Vakuumansaugung (Head) mit der aktiven Seite nach unten gehalten und auf eine Polierfläche (Pad, meist aus Polyurethan) auf dem Poliertisch gepresst. Der Head und der Poliertisch drehen sich, während der Head gleichzeitig horizontale Bewegungen ausführen kann. Als Poliermittel zwischen Tisch und Wafer dient eine Lösung (Slurry) aus Schleifmitteln und chemischen Substanzen, die unter Druck die Oberfläche verändern und so den Polierprozess unterstützen. Zur besseren Verteilung der Slurry und um das Poliertuch zur konditionieren, kann das Pad mit einer mit Diamanten besetzten Stahlscheibe (Dresser/Conditioner) aufgeraut werden. Dies geschieht während (in-situ) oder vor/nach dem Polierschritt (ex-situ).

Der CMP-Prozess erfolgt gewöhnlich in zwei oder drei Stufen auf Pads mit unterschiedlichen Oberflächen und verschiedenen Slurrys. Die Wafer werden dazu nach jedem Polierschritt auf das nächste Pad transferiert. Im Anschluss erfolgt eine Reinigung, um Partikel und Slurryreste zu entfernen.

CMP Anlage

Typischerweise wird der CMP-Prozess nach der Abscheidung des TEOS zur Shallow-Trench-Isolation eingesetzt um das Oxid soweit abzutragen, dass nur die Isolation zwischen den aktiven Gebieten der Transistoren bestehen bleibt. Ebenso wird das Zwischenoxid zwischen Transistorebene und der ersten Metallebene (First contact) mittels CMP auf die erforderliche Dicke zurückpoliert. In diesem Oxid werden anschließend die Kontakte zu den Source- und Draingebieten mittels Wolfram hergestellt. Auch hier dient das chemisch mechanische Polieren dazu, das auf der Oberfläche befindliche Metall zu entfernen. Wie im Kapitel Damscene-Verfahren beschrieben wurde, werden auch die Verdrahtungsebenen aus Kupfer im CMP-Prozess eingeebnet.

Im Folgenden ist der CMP-Prozess mit zwei Polierschritten im STI-Bereich dargestellt. Nach dem ersten Polierschritt wird das Oxid auf dem aktiven Gebiet und über den Gräben planarisiert. Im zweiten Polierschritt wird das restliche Oxid dann in einem selektiven Prozess bis auf die Passivierungsschicht abgetragen. Hierbei ist wichtig, dass das Oxid auf den Bereichen, auf denen später die Transistoren hergestellt werden, vollständig entfernt wird, da sonst das Nitrid, welches das darunterliegende Silicium während des Polierens schützt, nicht nasschemisch entfernt werden kann

STI vor dem Polierschritt

STI nach dem ersten Polierschritt       STI nach dem zweiten Polierschritt

Auch wenn dieses Verfahren recht grob anmutet, lässt sich hierbei doch eine auf wenige Nanometer planare Oberfläche herstellen.

Kontaktierung der Metallisierungsebenen

Um die Metallebenen zu verbinden, werden in die Isolationsschichten Kontaktlöcher mit sehr hoher Anisotropie geätzt, so werden Kanten an den Kontaktlöchern vermieden. Die Kontaktlöcher müssen so aufgefüllt werden, dass einerseits eine optimale Kontaktierung gewährleistet wird und zugleich die Oberfläche planar bleibt.

Zur Auffüllung der Kontaktlöcher hat sich Wolfram als geeignet erwiesen. Unter Zugabe von Silan scheidet sich in einem CVD-Prozess aus Wolframhexafluorid eine dünne Schicht Wolfram als Nukleationskeim ab, Siliciumtetrafluorid und Fluorwasserstoff als Nebenprodukte werden abgesaugt:

4 WF6 + 3SiH44W + 3SiF4 + 12HF

Unter Zugabe von Wasserstoff zu Wolframhexafluorid werden die Kontaktlöcher dann aufgefüllt:

WF6 + 3H2W + 6HF

Darüber kann die nächste Metallebene aufgebracht, strukturiert und planarisiert werden. Bei Kupfer als Metallisierung wird Wolfram nur für den ersten Kontakt zum Siliciumsubstrat benötigt. Die Verbindung der einzelnen Kupferebenen geschieht mit dem Kupfer selbst.

Ø 4,14 Loader