p-n-Übergang
Ein p-n-Übergang entsteht an der Kontaktfläche zwischen einem n-Leiter und einem p-dotierten Halbleiter.
Ohne äußere Spannung an den beiden Halbleitern rekombinieren die Elektronen im n-Leiter und die Löcher im p-Leiter miteinander, es entsteht eine Verarmungszone ohne freie Ladungsträger. Durch Anlegen einer Spannung kann man diese Verarmungszone vergrößern oder verkleiner.
Es entsteht so eine Diode, die den Strom nur in einer Richtung leitet. Liegt am p-Kristall der negative Pol und am n-Kristall der postivie Pol einer Spannungsquelle, werden die jeweiligen Ladungsträger in den Kristallen "abgesaugt", die Verarmungszone verbreitert sich. Durch Umpolen, Minuspol am n-Kristall und Pluspol am p-Kristall, werden ständig neue Ladungsträger geliefert, die fortwährend miteinander rekombinieren können. Es fließt Strom.