Shallow Trench Isolation
Shallow Trench Isolation (
STI; Grabenisolation) ist ein Verfahren, um integrierte Bauteile auf dem Wafer voneinander zu isolieren. Ähnlich dem
LOCOS-Prozess wird dazu eine Oxidschicht zwischen den Transistoren erzeugt, jedoch werden dazu bei der Shallow Trench Isolation vertikale Gräben ins Substrat geätzt und anschließend in einem
CVD-Prozess (z.
B.
TEOS-Abscheidung) mit einer isolierenden Oxidschicht aufgefüllt.
Diese Gräben beanspruchen sehr viel weniger kostbaren Platz als das
LOCOS-Verfahren und sind somit für die Höchstintegration auf Mikrochips gut geeignet. Im Vergleich zur
LOCOS-Technik sind jedoch aufwendigere Prozesse notwendig.