Technologieknoten von 10 µm bis 11 nm

Skala
3
µm
Skala
1,5
µm
Skala
1
µm
Skala
800
nm
Skala
600
nm
Skala
350
nm
Skala
250
nm
Skala
180
nm
Skala
130
nm
Skala
90
nm
Skala
65
nm
Skala
45
nm
Skala
32
nm
Skala
22
nm
Skala
16
nm
Skala
11
nm

11 nm

Der 11-nm-Prozess ist ein Fertigungsprozess, wie er voraussichtlich ab 2022 bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kommt.

Nach Intels eigenem Tick-Tock-Modell, welches alle zwei Jahre einen neuen Fertigungsprozess voraussagt, soll der 11-nm-Knoten bereits 2015 erreicht werden. Auch Nvidia strebt die Einführung einer 11-nm-Fertigung mit Hilfe von Electronic Design Automation (EDA) bis 2015 an. Die Belichtung wird voraussichtlich mit Double-patterning-Technologie erfolgen.

Nach der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) kann bei diesem Technologieknoten keine auf Silicium basierende CMOS-Technologie garantiert werden. Die Gatelänge wird weniger als 6 nm betragen, die korrespondierende Dicke des Gateoxids beträgt dann nur noch eine Atomlage, wodurch Tunneleffekte eine signifikante Rolle spielen werden.

Somit könnten III-V-Halbleiter oder Kohlenstoffnanoröhren für CMOS-Schaltungen genutzt werden. Denkbar sind auch alternative Schaltungen, basierend auf Molekularelektronik, Spintronik oder Einzelelektronentransistoren.

Durch den ausgiebigen Einsatz von porösen Ultra-Low-k-Materialien ist die Fertigung mit herkömmlichen Belichtungs- und Ätztechniken und chemisch mechanischem Polieren unwahrscheinlich.

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