Halbleitertechnologie von A bis Z

Technologieknoten von 10 µm bis 11 nm

10 µm

3 µm

1,5 µm

1 µm

800 nm

600 nm

350 nm

250 nm

180 nm

130 nm

90 nm

65 nm

45 nm

32 nm

22 nm

16 nm

11 nm

11 nm

Der 11-nm-Prozess ist ein Fertigungsprozess, wie er voraussichtlich ab 2022 bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kommt.

Nach Intels eigenem Tick-Tock-Modell, welches alle zwei Jahre einen neuen Fertigungsprozess voraussagt, soll der 11-nm-Knoten bereits 2015 erreicht werden. Auch Nvidia strebt die Einführung einer 11-nm-Fertigung mit Hilfe von Electronic Design Automation (EDA) bis 2015 an. Die Belichtung wird voraussichtlich mit Double-patterning-Technologie erfolgen.

Nach der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) kann bei diesem Technologieknoten keine auf Silicium basierende CMOS-Technologie garantiert werden. Die Gatelänge wird weniger als 6 nm betragen, die korrespondierende Dicke des Gateoxids beträgt dann nur noch eine Atomlage, wodurch Tunneleffekte eine signifikante Rolle spielen werden.

Somit könnten III-V-Halbleiter oder Kohlenstoffnanoröhren für CMOS-Schaltungen genutzt werden. Denkbar sind auch alternative Schaltungen, basierend auf Molekularelektronik, Spintronik oder Einzelelektronentransistoren.

Durch den ausgiebigen Einsatz von porösen Ultra-Low-k-Materialien ist die Fertigung mit herkömmlichen Belichtungs- und Ätztechniken und chemisch mechanischem Polieren unwahrscheinlich.