Halbleitertechnologie von A bis Z

Technologieknoten von 10 µm bis 11 nm

10 µm

3 µm

1,5 µm

1 µm

800 nm

600 nm

350 nm

250 nm

180 nm

130 nm

90 nm

65 nm

45 nm

32 nm

22 nm

16 nm

11 nm

90 nm

Der 90-nm-Prozess bezieht sich auf die Fertigungstechnologie, die ab 2000 bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kam.

Viele Hersteller setzten erstmals bei der 90-nm-Technologie eine Belichtungswellenlänge von 193 nm ein. Der Wechsel zum 90-nm-Prozess war zunächst relativ kostspielig, da auf Grund der neuen Belichtung auch neue Fotolacke eingesetzt werden mussten, wodurch zu Beginn wegen Fertigungsproblemen nur geringe Ausbeuten erzielt werden konnten.

Mit Einführung der 90-nm-Fertigung wurde vermehrt auch eine Umstellung auf 300 mm Wafer vollzogen, davor betrug der Waferdurchmesser 200 mm.

Von AMD in der Massenfertigung eingeführte Technologie:

• Gestrecktes Silicium zur Verbesserung der Ladungsträgerbeweglichkeit (2004)

Beispieldaten vom Elpida-Prozess (90 nm, DDR2 SDRAM):

• 300 mm Wafer
• 248 nm Lithografie (KrF-Laser) mit Optical proximity correction (OPC)
• 512 MBit
• 1,8 V (Betriebssapnnung)

Prozessoren in 90 nm (Auswahl):

• IBM "Waternoose" (Xbox 360, 2005)
• IBM/Sony/ Toshiba Cell (2005)
• Intel Pentium 4 (Prescott, 2004)
• AMD Athlon 64 X2 (Manchester, Toledo, Windsor 2005)
• VIA C7 (2005)
• Loongson (Godson, STLS2F02, 2008)