Technologieknoten von 10 µm bis 11 nm

Skala
3
µm
Skala
1,5
µm
Skala
1
µm
Skala
800
nm
Skala
600
nm
Skala
350
nm
Skala
250
nm
Skala
180
nm
Skala
130
nm
Skala
90
nm
Skala
65
nm
Skala
45
nm
Skala
32
nm
Skala
22
nm
Skala
16
nm
Skala
11
nm

22 nm

Der 22-nm-Prozess ist ein Fertigungsprozess, wie er voraussichtlich ab 2012-2013 bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kommt.

Nach der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS, FEoL Process Update 2006) beträgt die Equivalent oxide thickness hierbei 0,5 nm. Wie auch in der 32-nm-Fertigung wird auch in 22 nm Double patterning mit Immersionslithografie zum Einsatz kommen. Die ITRS prognostiziert, dass nicht mehr nur ein planarer Aufbau der Bauteile erfolgen wird, sondern sogenannte FinFETs (auch Dual-(Tetrode) oder Tri-Gate) zum Einsatz kommen werden, da man sich so einen vergrößerten Kanalbereich zu Nutze machen kann. Jedoch ist dies auch mit einem wesentlich höheren Herstellungsaufwand verbunden.

Ebenso muss nach der ITRS das erste Zwischenoxid (CVD-SiO2) nach der Transistorebene (pre-metal dieletric) durch ein poröses Low-k-Material ersetzt werden, wodurch jedoch zusätzliche Schwierigkeiten bei der Integration auftreten, da diese porösen Materialien anfällig für Plasmaprozesse sind.

Technologiedemos:

Am 18. August 2008 meldeten AMD, Freescale, IBM, STMicroelectronics, Toshiba und das College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE), dass sie gemeinsam eine SRAM-Speicherzelle in 22 nm entwickelt und in einem herkömmlichen 6-Transistor-Layout auf einem 300 mm Wafer gefertigt haben. Die Größe der Zelle betrug dabei 0,1 µm2 und wurde mit Immersionslithografie belichtet.

Der 22-nm-Prozess könnte der erste Technologieknoten sein, bei dem die Gatelänge nicht mehr kleiner ist als es die Technologie vorgibt. So geht man von einer typischen Gatelänge von 25 nm aus.

Am 22. September 2009 zeigte Intel auf dem Intel Developer Forum (IDF) einen 22 nm Wafer und kündigte eine Verfügbarkeit der Chips Ende 2011 an. Die Größe der Zelle betrug hierbei nur 0,09 µm2 (zu diesem Zeitpunkt die kleinste SRAM-Zelle).

Im ersten Quartal 2011 will Intel Solid State Drives (SSD) in 25 nm auf den Markt bringen.

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