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Belichtungsverfahren für die 8-nm-Technologie

Auf dem ACM International Symposium on Physical Design (ISPD) in Napa, USA, wurden in der vergangenen Woche Möglichkeiten zur Umsetzung der 8-nm-Fertigung diskutiert. Sicher ist schon jetzt, dass der Weg dorthin auf Grund dreier konkurierender Belichtungsverfahren, die für die Massenproduktion tauglich gemacht werden müssen, nicht einfach wird.

Burn Lin, Sprecher des Symposiums und ehemaliger Mitarbeiter von TSMC, sagte jedoch, dass man mit einem der drei Verfahren die Hürden der 8-nm-Design-Rules überwinden wird. Bei den Belichtungsverfahren handelt es sich um eine 193-nm-Immersions-Lithografie unter Zuhilfenahme von Multipatterning, EUV-Belichtung sowie die Elektronenstrahlbelichtung.

Nach Lin ist die "klassische" Belichtung mit tiefem UV-Licht dabei die vielversprechenste Lösung, wenn die Entwicklungskosten in Grenzen gehalten werden können. Die Belichtung mit extremem UV und einer Wellenlänge von 13,5 nm konnte bereits erfolgreich zur Herstellung von Strukturen unter 20 nm eingesetzt werden, benötigt jedoch noch bessere Fokussierungsmechanismen und stärkere Lichtquellen.

Mit der Elektronenstrahllithografie können schon heute Strukturen in 8 nm hergestellt werden, das Verfahren ist jedoch sehr langsam und bietet somit nur einen geringen Durchsatz. Letzteres könnte durch den Einsatz tausender parallel arbeitender Elektronenstrahlen drastisch erhöht werden, jedoch müssen noch Fortschritte bei der Zuverlässigkeit der Anlagen, der Uniformität und Genauigkeit gemacht werden.

(www.eetimes.com)

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