Halbleitertechnologie von A bis Z

Alles über Halbleiter und die Waferfertigung

APCVD

APCVD (Atmospheric Pressure CVD) ist eine CVD-Abscheidung bei Normaldruck die zur Herstellung von dotierten und undotierten Oxiden eingesetzt wird. Eingesetzte Gase wie Silan (SiH4) und Sauerstoff (O2) reagieren zu Siliciumdioxid (SiO2) und setzen sich auf dem Wafer ab.

Die APCVD-Abscheidung wird häufig zur Erzeugung von PSG- und BPSG-Schichten angewandt.

Nachteile von APCVD-Prozessen sind die geringe Konformität sowie ein poröses und instabiles Oxid.
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