Halbleitertechnologie von A bis Z

APCVD (Atmospheric Pressure CVD) ist eine CVD-Abscheidung bei Normaldruck die zur Herstellung von dotierten und undotierten Oxiden eingesetzt wird. Eingesetzte Gase wie Silan (SiH₄) und Sauerstoff (O₂) reagieren zu Siliciumdioxid (SiO₂) und setzen sich auf dem Wafer ab.

Die APCVD-Abscheidung wird häufig zur Erzeugung von PSG- und BPSG-Schichten angewandt.

Nachteile von APCVD-Prozessen sind die geringe Konformität sowie ein poröses und instabiles Oxid.