Lithografie

01

Belichten und Belacken

• Übersicht
• Aufbringen eines Haftvermittlers
• Belacken
• Belichtung
• Eingesetzte Belichtungsverfahren
• Multipatterning

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02

Belichtungsverfahren

• Übersicht
• Kontaktbelichtung
• Abstandsbelichtung
• Reduzierende Projektionsbelichtung
• Elektronenstrahllithografie
• Röntgenstrahllithografie
• Weitere Verfahren

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03

Der Fotolack

• Lacktechnik
• Chemische Zusammensetzung

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04

Entwickeln und Kontrolle

• Entwickeln
• Lackkontrolle
• Lackentfernen

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05

Maskentechnik

• Maskentechnik
• Maskenherstellung
• Maskentypen
• Belichtungsverfahren der nächsten Generation

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06

Optical Proximity Correction (OPC)

• Einführung & Motivation
• Typische Druckfehler ohne Korrektur
• Mask Bias & Serifs
• Sub-Resolution Assist Features
• Rule-based vs. Model-based OPC
• Verifikation: Lithography Simulation & Process Window
• Grenzen und Ausblick

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07

DUV vs. EUV

• Einordnung
• Technologie im Vergleich
• Auflösung und Rayleigh-Kriterium
• Herausforderungen und Kosten
• Vergleichstabelle

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08

EUV-Anlagentechnik

• Die Lichtquelle – Laser-erzeugtes Plasma (LPP)
• Projektionsoptik und Scanner-Prinzip
• EUV-Fotolackchemie

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