Halbleitertechnologie von A bis Z

Alles über Halbleiter und die Waferfertigung

2. Eigenschaften von Oxidschichten

In Verbindung mit Silicium tritt Oxid als Siliciumdioxid SiO2 auf. Es lässt sich auf dem Wafer in sehr dünnen Schichten sehr gleichmäßig herstellen.

SiO2 ist sehr widerstandsfähig und kann in der Halbleiterfertigung nur durch Flusssäure HF nasschemisch geätzt werden. Wasser und andere Säuren greifen das Oxid nicht an, wegen der Kontaminationsgefahr durch Metallionen können Alkalilaugen (KOH, NaOH u.a.) nicht eingesetzt werden. Diese spielen jedoch in der Mikromechanik eine Rolle beim anisotropen Nassätzen. Der Ablöseprozess mit HF läuft nach folgender Rekation ab:

SiO2 + 6HFH2SiF6 + 2H2O

Des Weiteren bietet sich Oxid zur Funktion von Schaltungen an, da es die unterschiedlichsten Anforderungen erfüllt (z.B. als Gateoxid, Feldoxid oder Zwischenoxid).

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