7 nm
Gemäß der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) folgt die 7-nm-Technologie auf die 10-nm-Technologie. 2016 befindet sich der 7-nm-Prozess in der Entwicklung. Auch hier wird noch mit klassischer Immersionslithografie mit 193 nm belichtet, da die Haltbarkeit von EUV-Masken und der Durchsatz der EUV-Lithografie noch nicht für die Massenfertigung ausreicht.
Technologiedemos
Bereits 2002 demonstrierte IBM Transistoren in 6 nm.
2003 fertigte NEC Transistoren in 5 nm.
2012 fertigte IBM Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren (Carbon Nanotubes) die die Leistung von Silicium basierten Chips übertrafen.
Im Juli 2015 demonstrierte IBM den ersten voll funktionstüchtigen Transistor in 7 nm, basierend auf einem Silicium-Germanium-Prozess.