3 µm
Der 3-µm-Prozess bezieht sich auf die Fertigungstechnologie, die ab der Mitte der 1970er Jahre bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kam. Zwischen ihm und dem 10-µm-Knoten liegen die beiden Umstellungen, die die MOS-Fertigung überhaupt erst konkurrenzfähig machten.
Die erste ist der Wechsel von PMOS auf NMOS. In n-Kanal-Transistoren tragen Elektronen den Strom, deren Beweglichkeit im Silicium etwa dreimal so hoch ist wie die der Löcher — bei gleicher Geometrie schaltet ein NMOS-Transistor also deutlich schneller.
Die zweite ist die Silicium-Gate-Technik. Statt Aluminium wird dotiertes Polysilicium als Gate-Elektrode verwendet. Weil Polysilicium die anschließende Hochtemperaturbehandlung übersteht, kann das Gate vor der Source-Drain-Dotierung strukturiert werden und dient dann selbst als Maske. Die Dotiergebiete entstehen damit automatisch an der richtigen Stelle, die Überlappung schrumpft auf das Minimum. Diese Selbstjustierung ist der wichtigste einzelne Schritt der frühen MOS-Technologie.
Zur Trennung benachbarter Bauelemente setzte sich die LOCOS-Technik durch, bei der das Trennoxid lokal in das Silicium hineinwächst. In der Lithografie ersetzte die Projektionsbelichtung das Kontaktverfahren: die Maske berührt den Wafer nicht mehr und hält dadurch weit länger.
Prozessoren in 3 µm (Auswahl):
- Intel 8085 (1976)
- Intel 8086 (1978)
- Intel 8088 (1979)