1. Silicium-Gasphasenepitaxie
Epitaxie bedeutet "obenauf" oder "zugeordnet", und stellt einen Prozess dar, bei dem eine Schicht auf einer anderen Schicht erzeugt wird und deren Kristallstruktur übernimmt. Ist die abgeschiedene Schicht aus dem gleichen Material wie die Unterlage spricht man von Homoepitaxie, bei zwei unterschiedlichen Materialien von Heteroepitaxie. Der bedeutendste Fall bei der Homoepitaxie ist die Abscheidung von Silicium auf Silicium, bei der Heteroepitaxie wird meist eine Siliciumschicht auf einem Isolator wie z.B. einer Oxidschicht erzeugt (Silicon On Insulator: SOI).
Die Homoepitaxie
Je nach Prozess können die Wafer bereits vom Hersteller mit einer Epitaxieschicht geliefert werden (z.B. in der CMOS-Technik), oder der Chiphersteller muss dies selbst durchführen (z.B. in der Bipolartechnik).
Als Gase zur Erzeugung der Schicht benutzt man reinen Wasserstoff in Verbindung mit Silan SiH4, Dichlorsilan SiH2Cl2 oder Siliciumtetrachlorid SiCl4. Bei ca. 1000 °C spalten die Gase das Silicium ab, das sich auf der Waferoberfläche absetzt. Das Silicium übernimmt die Struktur des Substrats und wächst dabei aus energetischen Gründen Ebene für Ebene nacheinander auf. Damit das Silicium nicht polykristallin aufwächst, muss immer ein Mangel an Siliciumatomen vorherrschen, d.h. es steht immer etwas weniger Silicium zur Verfügung, als aufwachsen könnte. Beim Siliciumtetrachlorid verläuft die Reaktion in zwei Schritten:
Damit das Silicium auf dem Substrat die Struktur des Kristalls übernehmen kann, muss die Oberfläche absolut rein sein, dabei macht man sich die Gleichgewichtsreaktion zu Nutze. Beide Reaktionen können auch in die andere Richtung verlaufen, je nachdem wie das Verhältnis der eingesetzten Gase ist. Befindet sich nur wenig Wasserstoff in der Atmosphäre wird, wie beim Trichlorsilanprozess zur Reinigung des Siliciums, auf Grund der hohen Chlorkonzentration Silicium von der Waferoberfläche abgetragen. Erst mit zunehmender Konzentration von Wasserstoff wird ein Wachstum erzielt.
Die Aufwachsrate beträgt bei SiCl4 ca. 1–2 µm pro Minute. Da das einkristalline Silicium nur auf der gereinigten Oberfläche aufwächst, kann man mit Oxid bestimmte Bereiche maskieren, auf denen dann polykristallines Silicium aufwächst. Dieses wird jedoch im Vergleich zu einkristallinem Silicium sehr leicht durch die rückwärts ablaufende Reaktion abgeätzt. Werden den Prozessgasen noch Diboran B2H6 oder Phosphin PH3 hinzugefügt, kann man dotierte Schichten erzeugen, da sich die Dotiergase bei den hohen Temperaturen zersetzen und die Dotierstoffe im Kristallgitter eingebaut werden.
Der Prozess zur Herstellung von Homoepitaxieschichten wird im Vakuum durchgeführt. Dabei wird die Prozesskammer zunächst auf 1200 °C aufgeheizt, damit sich das natürliche Oxid, das sich immer auf der Siliciumoberfläche bildet, verflüchtigt. Wie oben erwähnt, kommt es bei zu geringer Wasserstoffkonzentration zu einer Rückätzung der Wafer. Dies macht man sich vor dem eigentlichen Prozess zu Nutze, indem man auf diese Weise die Oberfläche der Wafer reinigt. Durch Veränderung der Gaskonzentrationen findet dann die Abscheidung in einer Epitaxieanlage statt.
Darstellung eines Barrelreaktors zur Epitaxieabscheidung

Durch die hohen Temperaturen kommt es jedoch zu einer Diffusion der Dotierstoffe im Substrat, bzw. zu einer Verunreinigung durch Dotierstoffe, die sich bei vorherigen Prozessen an den Reaktorwänden abgelagert haben. Bei der Verwendung von SiH2Cl2 oder SiH4 sind solch hohe Temperaturen nicht nötig, weshalb man sich eher auf diese Gase beschränkt. Damit jedoch eine Scheibenreinigung durch Rückätzung stattfinden kann muss man zusätzlich als Gas HCl zugeben. Der Nachteil dieser Silane ist jedoch, dass sich bereits in der Atmosphäre, vor der Abscheidung auf dem Wafer, Keime bilden. Dadurch ist die erzielte Qualität der Schicht gering.