Statische und dynamische Leistungsaufnahme, Leckströme

Die dynamische Verlustleistung entsteht beim Umladen der parasitären Lastkapazität eines Gatters während eines Schaltvorgangs und wird durch P_dyn = α · C_L · V_DD² · f beschrieben, wobei C_L die Lastkapazität, V_DD die Versorgungsspannung, f die Taktfrequenz und α die Schaltaktivität ist, also der Anteil der Taktzyklen, in denen das Gatter tatsächlich umschaltet und die in typischen Logikschaltungen bei etwa 0,1 bis 0,3 liegt. Für ein Gatter mit C_L = 1 fF, V_DD = 0,8 V, f = 2 GHz und α = 0,2 ergibt sich eine dynamische Verlustleistung von rund 0,26 µW – multipliziert mit mehreren hundert Millionen Gattern eines modernen Chips wird daraus schnell eine Gesamtleistung im Watt-Bereich. Da die Verlustleistung quadratisch mit der Versorgungsspannung wächst, ist die Absenkung von V_DD eines der wirksamsten Mittel zur Reduktion der dynamischen Leistungsaufnahme, wird jedoch durch die notwendige Mindestspannung für zuverlässiges Schalten begrenzt.

Zur dynamischen Verlustleistung zählt neben der eigentlichen Umladeleistung auch die Kurzschlussleistung, die während der endlichen Anstiegs- und Abfallzeit eines Signals entsteht, wenn PMOS- und NMOS-Pfad eines CMOS-Gatters kurzzeitig gleichzeitig leiten und die je nach Flankensteilheit 10 bis 20 % der gesamten dynamischen Verlustleistung ausmachen kann. Sie lässt sich durch möglichst steile Signalflanken, also eine ausreichende Treiberstärke der vorangehenden Stufe, gering halten.

Auch wenn ein CMOS-Gatter nicht schaltet, fließt ein kleiner, aber bei kleinen Strukturgrößen nicht mehr vernachlässigbarer Reststrom, der die statische Verlustleistung bestimmt. Der dominante Beitrag ist der Subthreshold-Leckstrom, der auch bei einer Gate-Source-Spannung unterhalb der Schwellenspannung noch fließt, da der Kanal nicht vollständig ausgeschaltet ist; er wächst exponentiell mit sinkender Schwellenspannung und steigender Temperatur, charakterisiert durch die Subthreshold-Steigung (Subthreshold Swing), die bei realen MOSFETs bei etwa 70 bis 100 mV pro Dekade Stromänderung liegt, gegenüber einem theoretischen Minimum von rund 60 mV/Dekade bei Raumtemperatur.

Weitere Beiträge sind der Gate-Leckstrom durch das immer dünner werdende Gate-Oxid sowie Sperrstrom über die in Sperrrichtung betriebenen Drain- und Source-pn-Übergänge. Da moderne Technologien mit niedrigeren Schwellenspannungen von oft nur 0,2 bis 0,3 V arbeiten, um bei sinkender Versorgungsspannung ausreichend Schaltgeschwindigkeit zu erhalten, steigt der Anteil der Leckleistung an der Gesamtverlustleistung mit jeder Technologiegeneration und kann in fortschrittlichen Prozessen bereits 20 bis 40 % der Gesamtverlustleistung eines Chips im Ruhezustand ausmachen.