Halbleitertechnologie von A bis Z

Beim BIAS-Sputtern wird eine Hochfrequenzspannung am Wafer und am Target angelegt. So wird nicht nur Material vom Target abgetragen, sondern gleichzeitig auch auf dem Wafer. Dadurch kann die erzeugte Schicht auf dem Wafer eingeebnet werden, um eine homogene Oberfläche zu erhalten. Jedoch muss darauf geachtet werden, dass kein Abtrag des Siliciumsubstrats erfolgt.

Dieses sogenannte Rückätzen wird auch bei vielen Plasmaätzanlagen eingesetzt.