CVD-Verfahren
CVD-Verfahren (chemical vapor deposition = chemische Dampfabscheidung) finden Anwendung bei der Erzeugung von Schichten, die sich nicht aus dem Siliciumsubstrat erzeugen lassen; dazu gehören bspw. Siliciumnitrid oder Siliciumoxinitrid.
Hier muss die Schicht durch thermische Zersetzung von Gasen erzeugt werden, die alle benötigten Materialien, wie Silicium und Nitrid, enthalten. Die Gase reagieren miteinander zu den gewünschten Stoffen (Erzeugung von Siliciumnitrid: 4NH3 + 3SiH2Cl2→Si3N4 + ...) und setzen sich auf dem Wafer ab. Dieser dient nur als Unterlage und nimmt nicht an der Reaktion teil.
Je nach Prozessparametern unterscheidet man zwischen APCVD, LPCVD, PECVD, MOCVD, HFCVD u.a.
Hier muss die Schicht durch thermische Zersetzung von Gasen erzeugt werden, die alle benötigten Materialien, wie Silicium und Nitrid, enthalten. Die Gase reagieren miteinander zu den gewünschten Stoffen (Erzeugung von Siliciumnitrid: 4NH3 + 3SiH2Cl2→Si3N4 + ...) und setzen sich auf dem Wafer ab. Dieser dient nur als Unterlage und nimmt nicht an der Reaktion teil.
Je nach Prozessparametern unterscheidet man zwischen APCVD, LPCVD, PECVD, MOCVD, HFCVD u.a.