Czochralski-Verfahren
Das Czochralski-Verfahren dient zur Herstellung des Siliciumeinkristalls, wie er in der Halbleiterfertigung benötigt wird.
Dabei wird das Silicium in einem Tiegel aufgeschmolzen und kann hier direkt mit Dotierstoffen versetzt werden. Ein Impfkristall mit definierter Gitterstruktur wird an die Oberfläche der Schmelze gebracht, die sich daran anlagert und die Gitterstruktur des Kristalls übernimmt.
Der Kristall wird nun unter Drehung und ständigem Kontakt zur Schmelze langsam nach oben gezogen, das angelagerte Silicium kühlt ab und man erhält einen Siliciumstab mit perfekter monokristalliner Struktur. Die Ziehgeschwindigkeit bestimmt dabei die Dicke des Siliciumstabs.
Zum Schutz vor Verunreinigungen wird das Ziehverfahren unter Schutzgasatmosphäre durchgeführt. Die Stäbe werden nach dem Ziehen auf den gewünschten Durchmesser abgeschliffen (üblich sind heute 100–300 mm).