Feldeffekttransistor
Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein unipolarer Transistor bei dem nur eine Sorte von Ladungsträgern für die Funktion verantwortlich ist (im Gegensatz dazu bipolare Transistoren mit zwei Arten von Ladungsträgern: Löcher und Elektronen).
Ein FET besitzt drei Anschlüsse, Drain (D), Source (S) und Gate (G), wobei D und S zwei getrennte Bereiche (z.B. n-dotiert) im entgegengesetzt dotierten Siliciumwafer darstellen.
Ohne angelegte Spannung befinden sich keine Ladungsträger in Form von Elektronen zwischen D und S, ein Stromfluss ist nicht möglich. Durch positive Spannung am Gate werden Elektronen aus dem Wafer angezogen und bilden einen negativen "Kanal" zwischen D und S und es kann Strom fließen. Da der Transistor ohne angelegte Spannung den Stromfluss sperrt nennt man ihn selbstsperrend oder Anreicherungs-FET.
Durch eine leichte n-Dotierung zwischen D und S erreicht man, dass der Transistor auch ohne äußere Spannung leitend wird: ein selbstleitender Verarmungs-FET. Dieser FET sperrt den Strom erst, wenn eine negative Spannung am Gate angelegt wird, so dass die Elektronen im n-Kanal abgestoßen werden. Eine Isolierschicht aus Oxid verhindert dabei, dass Strom zwischen Gate und Substrat fließen kann.