LPCVD
LPCVD (Low Pressure CVD) ist eine CVD-Abscheidung bei Unterdruck (10-100 Pa) die zur Herstellung von dünnen Schichten wie Siliciumnitrid (Si3N4), Siliciumoxinitrid (SiON), SiO2 und Wolfram eingesetzt wird.
Durch den geringen Druck bewegen sich die Teilchen in der Prozesskammer völlig ungerichtet und breiten sich durch Stöße untereiander aus, d.h. die Stoffe können alle Kanten und Flächen gleichmäßig bedecken. Die relativ hohe Prozesstemperatur von ca. 900°C erhöht die Konformität zusätzlich.
Im Gegensatz zum APCVD-Verfahren sind die erzeugten Schichten dichter und somit stabiler.
Durch den geringen Druck bewegen sich die Teilchen in der Prozesskammer völlig ungerichtet und breiten sich durch Stöße untereiander aus, d.h. die Stoffe können alle Kanten und Flächen gleichmäßig bedecken. Die relativ hohe Prozesstemperatur von ca. 900°C erhöht die Konformität zusätzlich.
Im Gegensatz zum APCVD-Verfahren sind die erzeugten Schichten dichter und somit stabiler.