Halbleitertechnologie von A bis Z

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PECVD

PECVD (Plasma Enhanced CVD) ist eine CVD-Abscheidung, die bei ca. 250–350 °C unter zu Hilfenahme von Plasma durchgeführt wird, da die Gase allein durch die niedrigen Temperaturen nicht zersetzt werden können.

Die geringe Temperatur bietet den Vorteil, dass auch Scheiben beschichtet werden können, die niedrigschmelzende Materialien wie z.B. Aluminium (Schmelzpunkt 500 °C) enthalten.

Als Gas wird bevorzugt Silan eingesetzt, weil es sich im Gegensatz zu Dichlorsilan (beim LPCVD-Verfahren) leichter bei niedrigen Temperaturen zersetzen lässt.

Die Konformität ist schlechter als beim LPVCD-Verfahren, die Abscheiderate mit 0,5 µm/min dafür deutlich höher.

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