PVD-Verfahren
PVD-Verfahren (physical vapor deposition = physikalische Dampfabscheidung) finden meist Anwendung bei der Abscheidung von metallischen Schichten, können aber auch bei der Erzeugung von Epitaxieschichten eingesetzt werden.
Anders als bei der chemischen Dampfabscheidung werden die abzuscheidenden Materialien jedoch nicht aus der Gasphase erzeugt.
Man unter scheidet zwischen den Aufdampfverfahren, bei denen das abzuscheidende Material in einem Tiegel aufgeschmolzen und dann als Teilchenstrom auf dem Wafer gelenkt wird, und der Kathodenzerstäubung oder Sputtern.
Dabei wird in einer Prozesskammer ein Plasma gezündet und die darin befindlichen geladenen Ionen auf ein Target beschleunigt welches aus dem gewünschten Material besteht. Durch die energiereichen Ionen wird Material vom Target herausgeschlagen, welches sich auf dem Wafer absetzt.