RIE
Das Reaktive Ionenstrahlätzen (reactive ion etching), ein chemisch-physikalisches Ätzverfahren, ist das wichtigste Ätzverfahren zur Strukturierung von Schichten in der Halbleiterfertigung.
Beim RIE befinden sich die zu ätzenden Wafer auf einer mit Wechselspannung gespeisten Elektrode unter Plasmaatmosphäre. Die Elektronen aus dem Plasma lagern sich bei der positiven Halbwelle an der Elektrode an und können diese auf Grund der zu hohen Austrittsarbeit nicht mehr verlassen.
Durch die nun negativ geladene Elektrode werden die im Plasma vorhandenen positiven Ionen auf die Wafer hin beschleunigt. Dadurch erfolgt hier nun ein physikalischer, nahezu anisotroper, Ätzabtrag. Gleichzeitig wird die Scheibenoberfläche auch chemisch durch Radikale in der Ätzkammer geätzt.
Die Radikale reagieren zusätzlich mit dem physikalisch abgetragenen Material, so dass dieses sich nicht an den Kammerwänden oder auf den Scheiben absetzen kann.