Shallow Trench Isolation
Shallow Trench Isolation (STI; Grabenisolation) ist ein Verfahren, um integrierte Bauteile auf dem Wafer voneinander zu isolieren. Ähnlich dem LOCOS-Prozess wird dazu eine Oxidschicht zwischen den Transistoren erzeugt, jedoch werden dazu bei der Shallow Trench Isolation vertikale Gräben ins Substrat geätzt und anschließend in einem CVD-Prozess (z.B. TEOS-Abscheidung) mit einer isolierenden Oxidschicht aufgefüllt.
Diese Gräben beanspruchen sehr viel weniger kostbaren Platz als das LOCOS-Verfahren und sind somit für die Höchstintegration auf Mikrochips gut geeignet. Im Vergleich zur LOCOS-Technik sind jedoch aufwendigere Prozesse notwendig.