Halbleitertechnologie von A bis Z

Alles über Halbleiter und die Waferfertigung

Vier-Spitzenmessung

Die Vier-Spitzenmessung ist ein Verfahren zur Bestimmung des spezifischen Widerstands eines Halbleiters, der von der Dotierkonzentration abhängt. Es kann dabei jedoch nicht einfach der Spannungsabfall zwischen zwei Punkten gemessen werden, da durch den Kontakt zwischen Messspitze und Wafer eine Kontaktspannung entsteht, die die Messung verfälscht. Man verwendet statt dessen eine Anordnung mit vier Kontaktspitzen gleichen Abstands. An den äußeren Kontakten legt man eine Spannung an und an den inneren misst man den Spannungsabfall. Man verwendet dazu ein Messgerät mit einem sehr hohen Innen-Widerstand, so dass im Stromkreis der inneren Kontakte nur ein sehr kleiner Strom fließt, der einen vernachlässigbar kleinen Spannungsabfall an den Kontaktstellen hervorruft. Der Nachteil dieses Verfahrens ist, dass die Spitzen fest aufsitzen müssen wodurch der Wafer beschädigt wird.