Mit der G3VH-Serie stellt Aratas America ein Solid-State-Relais vor, das auf Siliziumkarbid-MOSFETs basiert und für besonders anspruchsvolle Hochspannungsanwendungen ausgelegt ist. Die Bauteile decken Lastspannungen von 1800 V beziehungsweise 3300 V ab und richten sich damit an Einsatzbereiche, in denen klassische Silizium-basierte Schaltlösungen an ihre Grenzen stoßen.

SiC-MOSFETs bieten gegenüber konventionellen Silizium-IGBTs oder -MOSFETs Vorteile bei Durchbruchspannung, Schaltverlusten und thermischer Belastbarkeit. Diese Eigenschaften resultieren aus der größeren Bandlücke des Materials, die höhere elektrische Feldstärken im Bauteil zulässt, ohne dass es vorzeitig zum Durchschlag kommt. Dadurch lassen sich Sperrschichten dünner auslegen, was den Durchlasswiderstand senkt und gleichzeitig kompaktere Gehäuseformen ermöglicht.

Als galvanisch getrenntes Halbleiterrelais eignet sich das G3VH-Bauteil für Anwendungen, in denen mechanische Relais aufgrund von Kontaktverschleiß, Schaltgeräuschen oder begrenzter Lebensdauer an ihre Grenzen stoßen. Typische Einsatzfelder liegen im Bereich der Energieversorgung, bei Hochspannungs-Prüfsystemen sowie in industriellen Anlagen, die eine zuverlässige und wartungsarme Schaltfunktion bei extremen Spannungspegeln benötigen.

Die Vorstellung dieses Relais unterstreicht den anhaltenden Trend zur breiteren Marktdurchdringung von SiC-Bauelementen jenseits klassischer Leistungshalbleiter wie diskreter MOSFETs oder Module. Mit steigender Verfügbarkeit solcher integrierten Schaltlösungen dürfte sich die Substitution mechanischer Relais in Hochspannungsanwendungen weiter beschleunigen.