Infineon hat bei der zehnten OktoberTech in Mountain View vor allem die Rolle von Halbleitern für physische KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren., Automotive und Leistungselektronik herausgestellt. In den Vorträgen ging es um Robotik, Fahrzeuge und Stromversorgungssysteme; daneben wurde der Wandel von cloudzentrierten Ansätzen hin zu lokaler Datenverarbeitung betont.
Im Bereich Edge AIartificial intelligence stand die Frage im Raum, warum sich die frühe IoTinternet of thingsIoT steht für vernetzte Geräte und Systeme mit Datenanbindung.-Euphorie nicht in den erwarteten Stückzahlen materialisierte und weshalb sich diesmal ein anderer Verlauf ergeben könnte. Der zentrale Unterschied liegt in leistungsfähigeren Mikrocontrollern mit mehr Speicher, die KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Modelle direkt am Rand des Systems ausführen können. Genannt wurden Anwendungen in Elektrowerkzeugen, Haushaltsgeräten und im Motorantrieb, wo Machine-Learning-Verfahren bereits für Predictive Maintenance genutzt werden. Als Gründe für lokale Verarbeitung wurden Cloud-Kosten, fehlende Konnektivität, Latenz und Datenschutz angeführt.
Auch bei softwaredefinierten Fahrzeugen sieht Infineon einen deutlichen Umbruch. Der Anteil von Fahrzeugen mit SDV-Architektur liegt derzeit bei rund 10 Prozent, soll aber auf etwa 40 Prozent steigen. Zugleich wird die Ablösung klassischer, verteilter Steuergeräte zu einer zentralen Recheneinheit als notwendig beschrieben. Statt etwa 100 separater Steuerboxen mit jeweils eigener Software soll die Fahrzeugarchitektur zunehmend auf einen zentralen Computer zulaufen.
Ein weiterer Schwerpunkt war die Stromversorgung von KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Rechenzentren. Infineon verwies auf mehrere jüngst vorgestellte Bausteine und Referenzdesigns, darunter ein 27-kW-Referenzdesign für dreiphasige Netzteile, einen digitalen Hot-Swap-Controller für 800 VDC1. volts direct-currentElektrische Kenngröße zur Beschreibung oder Prüfung des Betriebsverhaltens einer Schaltung.2. volts direct currentVDC kennzeichnet eine Gleichspannung in Volt. und ±400 V, einen 900-V-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Bidirektionalschalter für Enphase sowie eine 800-V-zu-50-V-, 12-V- und 6-V-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-IBC-Kollaboration mit Nvidia. Diese Entwicklungen ordnet das Unternehmen in den steigenden Leistungsbedarf von KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Infrastrukturen ein.
Parallel dazu baut Infineon seine Fertigung aus. Die im Juli eröffnete Smart Power Fab in Dresden ist eine 300-mm-Fabrik für Power- sowie Analog/Mixed-Signal-Bauelemente und mit 5 Milliarden Euro die größte Einzelinvestition in der Unternehmensgeschichte. Die Fabrik soll Ende 2026 in die Hochlaufphase gehen und künftige Nachfrage aus dem KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Ausbau bedienen.
Für 800 VDC1. volts direct-currentElektrische Kenngröße zur Beschreibung oder Prüfung des Betriebsverhaltens einer Schaltung.2. volts direct currentVDC kennzeichnet eine Gleichspannung in Volt. nennt Infineon einen Zeithorizont, in dem erste Prototypen oder Serienprodukte ab 2028 erwartet werden. Das Zielbild reicht von einphasiger Versorgung über dreiphasige Systeme bis hin zu Mittelspannungs-Gleichstrom auf Anlagenebene. Damit verbunden ist die Perspektive auf ein Leistungsniveau, das in Richtung 1-MWmolecular weightMasse eines Moleküls, meist als relative Molekülmasse oder molare Masse angegeben.-Rack führt. Zugleich bleibt die Zertifizierung nach UL und die durchgängige Sicherheit eine wesentliche Hürde für den Markteintritt.
Technisch unterstreicht Infineon damit die wachsende Bedeutung von GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt. in Intermediate-Bus-Convertern und die Verschiebung der Spannungswandlung näher an die Recheneinheit. Mit sinkender Spannung steigen die Ströme stark an; bei 6 V sind im 20-kW-Bereich mehr als 3000 A möglich. Entsprechend werden kurze Versorgungswege und neue Topologien für die Stromverteilung bei xPU-Systemen immer wichtiger.