Die Nachfrage nach Siliziumkarbid zieht weiter an, doch die Investitionen folgen nur bedingt Europas Industrieinteressen. Für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter aus SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. und GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt. wird bis 2031 ein Marktvolumen von mehr als 14 Mrd. US-Dollar (rund 12,5 Mrd. Euro) erwartet, bei einem jährlichen Wachstum von rund 22 %. Treiber sind 800-V-Architekturen in Elektroautos, wachsende erneuerbare Energien, Speicher und Windkraft sowie der Umbau der Stromversorgung von KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Rechenzentren auf 800 V DCdirect currentElektrischer Strom, der in gleichbleibender Richtung fließt..
Im Automobilbereich steigt der SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Bedarf vor allem mit der Umstellung auf höhere Bordnetze. Der Anteil batterieelektrischer Fahrzeuge mit 800-V-Systemen soll von etwa 12 % im Jahr 2025 auf rund die Hälfte bis 2031 wachsen. Gleichzeitig sinken die Preise im Substratmarkt deutlich: Für 6-inch-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Substrate werden in China inzwischen nur noch etwa 500 US-Dollar (rund 447 Euro) oder weniger genannt, nachdem sie zuvor bei rund 1500 US-Dollar (rund 1341 Euro) lagen.
Wolfspeed, einer der langjährigen Marktführer, arbeitet nach einem Chapter-11-Verfahren mit deutlich reduzierter Verschuldung weiter, meldete im jüngsten Quartal bis September 2026 aber immer noch eine negative Bruttomarge von etwa 13 % (non-GAAP). Als Hauptbelastung nennt das Management Unterauslastung. Für das Werk in Mohawk Valley würde eine Auslastung von etwa 25 bis 30 % genügen, um den Bruttomargen-Break-even zu erreichen. Zusätzlich erhielt das Unternehmen im Oktober eine bedingte Kreditzusage über 1,5 Mrd. US-Dollar (rund 1,3 Mrd. Euro) vom U.S. Department of War.
Europäische Unternehmen halten bei SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Leistungsbauelementen ungefähr die Hälfte des Weltmarkts, sind upstream aber deutlich schwächer positioniert. Beim Substratmarkt liegt der europäische Anteil nur bei rund 10 %. Zugleich ist Europa selbst als Absatzmarkt für SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. in Autos klein: etwa 12 % der globalen Nachfrage stehen rund 63 % in China gegenüber.
Eine Übersicht über mehr als 30 Mrd. US-Dollar (rund 26,8 Mrd. Euro) an angekündigten SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Investitionen zeigt zudem, dass ein großer Teil des Kapitals zwar von europäischen Konzernen stammt, aber nur rund 40 % davon tatsächlich in Europa landet. Große Projekte europäischer Unternehmen liegen unter anderem in Infineons Werk in Kulim, in Boschs Standort in Roseville, bei X-FABfast atom bombardmentAnalysenverfahren, bei dem energiereiche neutrale Atome Material aus einer Probe lösen. in Lubbock und bei STs Beteiligung an einem Joint Venture mit Sanan in China. Ein Gegenbeispiel ist Vishay, das 2024 das Newport Wafer Fab in Wales übernommen hat, um dort SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Produktion aufzubauen.
Der Grund für diese Verteilung liegt nicht nur in der Nachfrage, sondern auch bei Förderpolitik und Energiekosten. SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Kristallwachstum ist extrem energieintensiv, weshalb Standorte mit günstiger Energie und politischer Unterstützung an Attraktivität gewinnen. Als möglicher nächster Schwerpunkt wird Südostasien gesehen, insbesondere Malaysia mit seiner Back-end-Industrie und dem Kulim-Standort von Infineon als möglichem Anker.
Für neue Kapazitäten bleibt das Geschäftsmodell schwierig. Im SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Bereich liegt fast das gesamte Geschäft in den Händen von Integrated Device Manufacturers; offene Foundry-Angebote sind selten. Unter den wenigen Optionen werden X-FABfast atom bombardmentAnalysenverfahren, bei dem energiereiche neutrale Atome Material aus einer Probe lösen. in Lubbock, einzelne 8-inch-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Ankündigungen aus Taiwan, Forschungsanlagen wie Fraunhofer IISB sowie Clas-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. in Schottland genannt. Clas-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. hat kürzlich eine Expansion über 12 Mio. brittische Pfund (rund 14,4 Mio. Euro) angekündigt.
Auch das geplante Green Silicon Carbide Manufacturing (GSCM) in Bulgarien steht vor dieser Hürde: Zunächst braucht das Vorhaben Kunden, bevor eine Fab im großen Stil tragfähig wird. Als mögliche Partner für das Projekt werden unter anderem Clas-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. für die Technologie, Synopsys und SemiWise für die PDKprocess design kitEin PDK stellt die für das Chipdesign nötigen Prozessdaten, Modelle und Regeln bereit.-Entwicklung sowie Milara für die Prozessautomation genannt.
Die zentrale Botschaft ist damit nüchtern: Bei SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. reicht technologische Ambition allein nicht aus. Ohne abgesicherte Abnehmer, schrittweisen Kapazitätsaufbau und eine klare Positionierung jenseits des starken chinesischen Pkw-Markts bleiben neue Fabs finanziell anfällig, selbst wenn der Markt insgesamt weiter stark wächst.