Eine neue Zusammenstellung technischer Fachpublikationen zeigt, wie unterschiedlich die Antworten der Halbleiterbranche auf die Anforderungen von KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Workloads und fortschrittlicher Integration ausfallen. Ein Thema ist High Bandwidth Flash (HBF1. High Bandwidth FlashHBF ist ein Flash-Konzept, das hohe Kapazität mit höherer Bandbreite verbinden soll.2. High-Bandwidth FlashHBF bezeichnet eine Speichertechnik mit hoher Bandbreite für künftige KI-Systeme.) als mögliche Ergänzung für Inferenz-Anwendungen mit großen Sprachmodellen, bei denen Speicherkapazität und Bandbreite gegenüber reiner Rechenleistung zunehmend limitierend wirken. Ergänzend dazu wird ein hybrider Ansatz aus HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger. und HBF1. High Bandwidth FlashHBF ist ein Flash-Konzept, das hohe Kapazität mit höherer Bandbreite verbinden soll.2. High-Bandwidth FlashHBF bezeichnet eine Speichertechnik mit hoher Bandbreite für künftige KI-Systeme. diskutiert, der die Vorteile beider Speicherklassen kombinieren soll, um Kosten und Performance besser auszubalancieren.
3D-Integration und verteilte Architekturen
Im Bereich der monolithischen 3D-Integration (M3D) wird ein SRAM1. static random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. static random-access memoryStatischer Speicher, der ohne periodisches Refresh arbeitet.-Konzept vorgestellt, das Pass-Gate-Transistoren in der BEOLback end-of-lineFertigungsabschnitt, in dem Leiterbahnen, Kontaktierungen und Isolationsschichten oberhalb der Transistoren entstehen.-Ebene bei der 2-nm-Knotengeneration realisiert. Dieser Ansatz zielt darauf ab, Zellflächen weiter zu reduzieren, indem Logik- und Speicherfunktionen vertikal stärker verschränkt werden, statt ausschließlich auf laterale Skalierung zu setzen. Parallel dazu beschäftigt sich ein weiterer Beitrag mit verteilten GPUgraphics processing unitEin Grafikprozessor, der auch als Beschleuniger für KI-Workloads eingesetzt wird.-Architekturen, die Rechenressourcen über mehrere Chiplets oder Systeme hinweg flexibler organisieren sollen, um Skalierungsgrenzen einzelner Dies zu umgehen.
Verbindungshalbleiter und Photonik
Für Leistungsanwendungen wird ein GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-on-Silicon-Bauelement mit polarisationsbasiertem Superjunction-Design vorgestellt, das die charakteristischen Polarisationseffekte von III-V-Heterostrukturen gezielt nutzt, um Durchbruchspannung und Durchlasswiderstand besser zu optimieren. Ein weiteres Paper widmet sich der Aluminium-Dotierstoffaktivierung in 4H-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung., einem wichtigen Prozessschritt für leistungsfähige SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Bauelemente. Im Bereich der optischen Integration wird zudem ein Konzept für programmierbare Silizium-Photonik beschrieben, das photonische Schaltkreise flexibler rekonfigurierbar machen soll, ähnlich wie es FPGAfield-programmable gate arrayNach der Herstellung rekonfigurierbarer Logikchip, dessen interne Verbindungen und Funktionen programmiert werden können.s für digitale Logik ermöglichen.