Everspin Technologies erweitert den Einsatz von magnetoresistivem Arbeitsspeicher (MRAM) gezielt in Richtung KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Server, Rechenzentren und Satellitensysteme. Das Unternehmen positioniert die Technologie als schnelle, persistente Speicheroption für Anwendungen, in denen Leistung und Zuverlässigkeit wichtiger werden und sich zugleich die Beschaffung von NOR-Flash verschärft.
CEOchief executive officerBezeichnet den Vorstandsvorsitzenden bzw. die oberste operative Unternehmensleitung. Sanjeev Aggarwal sieht MRAM als Antwort auf die Grenzen bestehender Speicherlösungen. Kunden prüfen MRAM demnach nicht nur wegen der Performance, sondern auch wegen der Lieferengpässe bei bestimmten NOR-Flash-Produkten. Für die erste Hälfte 2026 werden für NOR-Flash kumulierte Preissteigerungen von 100 bis 120 Prozent genannt; zugleich verlängerten sich Lieferzeiten, während Anbieter keine nennenswerte Kapazitätserweiterung angekündigt hätten.
Nach Einschätzung von Everspin eröffnet diese Marktlage ein Volumen von bis zu 3 Milliarden US-Dollar im Zeitraum 2028 oder 2029. Das Unternehmen entwickelt dafür ein Produkt auf Basis von TSMCTaiwan Semiconductor Manufacturing CompanyTSMC ist ein Foundry-Unternehmen und einer der Gründungspartner des EPIC Center.-Prozessschritten. Aggarwal verglich die Kostenentwicklung mit der früheren Situation, in der MRAM etwa dreimal so teuer wie NOR-Flash gewesen sei. Durch den starken Preisanstieg bei NOR-Flash sei der Abstand inzwischen auf rund das 1,5-Fache geschrumpft.
Technisch sieht Everspin MRAM als mögliche Zwischenstufe zwischen DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher und NANDNot ANDEin Logikgatter, das am Ausgang 0 ausgibt, wenn alle Eingänge 1 sind. In allen anderen Fällen wird eine 1 ausgegeben-Flash. In einer Demonstration auf der SNIA Developer Conference zeigte das Unternehmen MRAM-Module zusammen mit einem CXLCompute Express LinkCXL ist eine Schnittstelle für kohärente Verbindungen zwischen Prozessoren, Speicher und Beschleunigern.-Controller, um persistenten Speicher über CXLCompute Express LinkCXL ist eine Schnittstelle für kohärente Verbindungen zwischen Prozessoren, Speicher und Beschleunigern..mem bereitzustellen. Die demonstrierte Speicherzugriffszeit lag bei 20 bis 30 Nanosekunden; NANDNot ANDEin Logikgatter, das am Ausgang 0 ausgibt, wenn alle Eingänge 1 sind. In allen anderen Fällen wird eine 1 ausgegeben-Flash kann laut der Einordnung von Everspin hunderte Mikrosekunden benötigen. Als mögliche Einsatzdaten nennt das Unternehmen unter anderem KV-Caches, Checkpoints und Daten, die noch auf einen Schreibvorgang in den Langzeitspeicher warten.
Bei der Kapazität bleibt MRAM allerdings begrenzt. Everspin erreicht derzeit Dichten bis 1 Gigabit; durch Stapelung könnten laut Unternehmensangaben 8 Gb oder 16 Gb möglich werden. Für die vorgesehene Rolle als temporärer Zwischenspeicher sei nicht zwingend NANDNot ANDEin Logikgatter, das am Ausgang 0 ausgibt, wenn alle Eingänge 1 sind. In allen anderen Fällen wird eine 1 ausgegeben-Flash-Kapazität erforderlich. Für bestimmte Anwendungen verweist Everspin zudem auf die geringere verfügbare Dichte von FRAM sowie auf Kompromisse bei NVSRAM in Bezug auf Zuverlässigkeit und Betriebsbedingungen.
Im Satellitenbereich verweist Everspin auf einen Einsatz des 64-Mbit-STT-MRAM PERSYST mit der Teilenummer EM064LXQADG13IS1T als primären Failsafe-Speicher für den Startvorgang eines Satellitenbusses in einer GEO-Mission. MRAM werde dort wegen Strahlungsfestigkeit, hoher Schreibgeschwindigkeit und geringem Energiebedarf geschätzt. Das Unternehmen nennt für die betreffenden Bausteine einen Betriebstemperaturbereich von minus 40 bis 125 Grad Celsius sowie Schreibgeschwindigkeiten, die nahezu drei Größenordnungen über denen von NOR-Flash liegen sollen.
Parallel baut Everspin die Fertigung und Lieferbasis aus. Toggle-MRAM wird in Chandler, Arizona, auf 8-Zoll-Linien gefertigt. Für diese Produktfamilie hat das Unternehmen mit Microchip Technology eine 10-jährige Foundry-Vereinbarung für eine zweite US-Fertigungsquelle in Gresham, Oregon, geschlossen; erste Produkte sollen in der zweiten Hälfte 2027 ausgeliefert werden. Für STT-MRAM arbeitet Everspin seit 2016 mit GlobalFoundries auf 12-Zoll-Wafern und plant zusätzlich ein Tape-out auf TSMCTaiwan Semiconductor Manufacturing CompanyTSMC ist ein Foundry-Unternehmen und einer der Gründungspartner des EPIC Center.s 16-nm-Prozess, um die Versorgung zu verbreitern. Zudem hat Everspin mit MaxLinear eine Absichtserklärung zur Evaluation von MRAM für Metadaten, Logdaten, Write Buffering und Cache in KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Servern unterzeichnet.