Infineon hat nach eigenen Angaben erstmals funktionsfähige Power-Bauelemente auf 300-mm-Siliziumkarbid-Wafern in einer Fertigungsumgebung hergestellt. Die Verarbeitung erfolgte in der Fab im österreichischen Villach und nutzt vorhandene Fertigungsausrüstung für Silizium. Damit wird ein wichtiger Schritt vom Labor in eine skalierbare Halbleiterproduktion vollzogen.
Der Technologiewechsel ist vor allem deshalb relevant, weil 300-mm-Wafer gegenüber 200-mm-Wafern deutlich effizienter sind. Durch den größeren Durchmesser lassen sich pro Wafer etwa 2,3-mal so viele Chips fertigen. Infineon verknüpft den Erfolg mit dem Ziel, eine langfristig gesicherte und kosteneffiziente SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Versorgung für Kunden aufzubauen.
Siliziumkarbid gilt als Schlüsselmaterial für leistungsfähige Energiewandlung, insbesondere bei hohen Spannungen und Temperaturen. Genannt werden unter anderem Traktionswechselrichter, Onboard-Lader, EV-Ladegeräte, Großspeicher, industrielle Antriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Auch in KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Rechenzentren sieht Infineon wachsenden Bedarf, etwa für Festkörpertransformatoren, Schutzschalter und Netzteile.
Parallel hat Infineon auch die Machbarkeit der Cold-Split-Technologie auf 300-mm-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung. am Standort Dresden bestätigt. Das Verfahren trennt Wafer mit geringerem Materialverlust und deutlich kürzerer Prozesszeit als das konventionelle Drahtsägen. Dadurch können aus demselben Kristall mehr Wafer gewonnen werden, bei zugleich geringerem Kapitalaufwand.
Der Konzern will die 300-mm-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Technologie und den Hochlauf gemeinsam mit Kunden und Partnern planen und die bestehende 200-mm-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Roadmap weiterführen. Infineon stellt damit seine Arbeit mit den drei relevanten Halbleitermaterialien Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid heraus.
Die erste verarbeitete 300-mm-SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Wafer soll auf der electronica in München öffentlich gezeigt werden. Dort präsentiert Infineon vom 10. bis 13. November 2026 weitere energieeffiziente Lösungen in Halle C3, Stand 502.