Infineon richtet in Villach die weltweit erste Fertigung mit hoher Stückzahl für nächste Generationen von Gallium-Nitrid-(GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-)Leistungshalbleitern auf 300-Millimeter-Wafern ein. Für den Ausbau der bestehenden Reinraumflächen sind bis 2034 Investitionen von rund 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Der Produktionsstart ist für Ende 2027 geplant.
Die neue Linie soll auf eine wachsende Nachfrage nach effizienten Stromversorgungslösungen reagieren. GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt. ermöglicht höhere Wirkungsgrade in Anwendungen wie KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Rechenzentren, Energieinfrastruktur, E-Mobilität, Robotik und auch Consumer Electronics. Infineon ordnet das Vorhaben als Ausbau seiner Kapazitäten für Leistungshalbleiter und neue Halbleitermaterialien ein.
Technisch baut das Unternehmen auf einem Verfahren auf, mit dem bereits vor zwei Jahren erstmals 300-Millimeter-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Wafer verarbeitet wurden. Die Umstellung von 200 auf 300 Millimeter gilt als deutlich effizienter, weil sich pro Wafer 2,3-mal so viele Chips fertigen lassen. Diese Technologie wird nun in die Serienfertigung übertragen.
Für das Projekt sind 319 Millionen Euro an Fördermitteln im Rahmen des European Chips Act vorgesehen. Die Europäische Kommission hat die Beihilfe bereits genehmigt; die formale Förderzusage der österreichischen Wirtschafts- und Tourismusministeriums soll innerhalb der vorgesehenen Fristen folgen.
Villach wird damit weiter als Kompetenzzentrum für Leistungselektronik und neue Halbleitermaterialien ausgebaut. Infineon Österreich beschäftigt derzeit rund 5.800 Menschen, davon etwa 4.800 am Standort Villach. Das Unternehmen verweist zugleich auf die enge Verzahnung mit Universitäten, Forschungseinrichtungen, Start-ups und Industriepartnern im regionalen Mikroelektronik-Umfeld.
GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt. gilt als Halbleitermaterial, das Strom besonders effizient schalten und wandeln kann. Dadurch entstehen kleinere, leistungsfähigere und energieeffizientere elektronische Systeme mit geringeren Verlusten und weniger Wärmeentwicklung. Für den Markt der GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Leistungshalbleiter wird bis 2031 ein Volumen von rund 3,5 Milliarden US-Dollar erwartet, bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von etwa 35 Prozent zwischen 2025 und 2031.