Infineon hat eine Kooperation mit Fox ESS bekanntgegeben, einem Anbieter von Energiespeichersystemen für den Wohnbereich. Im Zentrum steht die Lieferung von Siliziumkarbid-Bauelementen (SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.), die in den Leistungswandlern der Speichersysteme zum Einsatz kommen sollen. Gegenüber klassischen Silizium-IGBTinsulated-gate bipolar transistorIGBT ist ein Leistungshalbleiter für hohe Spannungen und Ströme.s oder -MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s bieten SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Bauteile geringere Schaltverluste, höhere Sperrspannungsfestigkeit und eine bessere Wärmeableitung, was sich direkt in kompakteren und effizienteren Wechselrichter- und Speicherarchitekturen niederschlägt.
Für Anwendungen wie Heimspeicher, die zunehmend mit Photovoltaikanlagen kombiniert werden, ist der Systemwirkungsgrad ein entscheidender Faktor für Wirtschaftlichkeit und Nutzerakzeptanz. Durch den Einsatz von SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Halbleitern lassen sich Schaltfrequenzen erhöhen, wodurch passive Bauelemente wie Induktivitäten und Kondensatoren kleiner dimensioniert werden können. Das reduziert nicht nur die Baugröße der Systeme, sondern senkt auch die thermischen Verluste im Dauerbetrieb.
Bedeutung für den Verbindungshalbleiter-Markt
Die Partnerschaft reiht sich in eine breitere Entwicklung ein, bei der Siliziumkarbid zunehmend aus dem reinen Automotive-Umfeld in stationäre Energieanwendungen vordringt. Hersteller von Leistungshalbleitern wie Infineon profitieren von wachsender Nachfrage aus dem Bereich erneuerbarer Energien, da dezentrale Speichersysteme weltweit an Bedeutung gewinnen. Für Fox ESS wiederum verspricht der Einsatz von SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Technologie einen Wettbewerbsvorteil bei Effizienz und Systemdichte gegenüber siliziumbasierten Konkurrenzprodukten.