Infineon Technologies und der chinesische SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Substrathersteller Tack One wurden mit dem SICC Award in der Kategorie beste technologische Kollaboration geehrt. Die Auszeichnung würdigt die gemeinsame Weiterentwicklung von Siliziumkarbid-Substraten, die als Basis für leistungselektronische Bauelemente eine zentrale Rolle spielen.
Siliziumkarbid gilt als Schlüsselmaterial für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Effizienz, Schaltfrequenz und thermische Belastbarkeit, etwa in der Traktionselektronik von Elektrofahrzeugen, in Ladeinfrastruktur und in industriellen Antriebssystemen. Die Qualität und Verfügbarkeit hochwertiger SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Substrate ist dabei ein limitierender Faktor für die gesamte Wertschöpfungskette, da Kristalldefekte und Waferqualität unmittelbar die Ausbeute und Leistungsfähigkeit der daraus gefertigten Bauelemente beeinflussen.
Die Partnerschaft zwischen Infineon als etabliertem Halbleiterhersteller und Tack One als spezialisiertem Substratlieferanten unterstreicht die zunehmende Bedeutung strategischer Lieferketten-Kooperationen im Bereich der Verbindungshalbleiter. Solche Allianzen sollen helfen, Kapazitätsengpässe bei SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Material zu adressieren und die Materialqualität kontinuierlich zu verbessern, um mit der wachsenden Nachfrage aus der Automobil- und Energiebranche Schritt zu halten.