Forscher von UC Berkeley, Samsung Electronics und Intel haben eine neuartige gain-cell embedded DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher mit nanoelektromechanischer Steuerung beschrieben. Das Konzept soll die Vorteile von Gain-Cells mit einer verbesserten Schalt- und Speicherarchitektur verbinden und damit eine effizientere Alternative für eingebettete Speicher bieten.
Ausgangspunkt ist die weiterhin wachsende Bedeutung des sogenannten memory wall sowie die verlangsamte Skalierung von SRAM1. static random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. static random-access memoryStatischer Speicher, der ohne periodisches Refresh arbeitet.. Gain-Cell-eDRAM bleibt wegen ihrer hohen Dichte und Energieeffizienz attraktiv, leidet jedoch unter begrenzter Retention, parasitärer Kopplung und dem Bedarf an erhöhten Schreibspannungen. Genau an diesen Punkten setzt die Arbeit an.
Der vorgestellte Speicher nutzt eine nanoelectromechanically gated gain cell. Die mechanisch-elektrisch gekoppelte Gate-Struktur soll die Schaltfunktion der Zelle so beeinflussen, dass die genannten Nachteile klassischer Gain-Cell-Ansätze reduziert werden. Weitere technische Details zu Aufbau und Kennzahlen wurden in der veröffentlichten Kurzbeschreibung nicht genannt.
Die Arbeit trägt den Titel “Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM” und wurde im IEEEInstitute of Electrical and Electronics Engineers Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits veröffentlicht.