Polar und imec bringen 8-Zoll-GaN-Fertigung für E-Mode-Bauelemente auf den Weg

12. Oktober 2026

Polar und imec bringen 8-Zoll-GaN-Fertigung für E-Mode-Bauelemente auf den Weg

Bild: ChatGPT

Polar Semiconductor und IC1. integrated circuitIC ist die gängige Bezeichnung für einen integrierten Schaltkreis.2. ion chromatographyAnalysenverfahren, bei dem die Bestandteile eines Stoffgemischs getrennt und untersucht werden.-Link by imec haben eine Zusammenarbeit für die 8-Zoll-Fertigung von Enhancement-Mode-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Bauelementen angekündigt. Die Produktion soll Anwendungen in KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Rechenzentren, der Automobilindustrie, der Luft- und Raumfahrt sowie im industriellen Stromnetz bedienen.

Die Vereinbarung basiert auf einem Lizenztransfer von imecs GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-on-Si-Prozess samt Device- und Epitaxie-Know-how an Polar. Gefertigt werden sollen e-mode-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Bauelemente in Polars Werk in Bloomington, Minnesota. Zunächst ist der Leistungsbereich von 40 bis 650 Volt vorgesehen; später sollen auch niedrigere und höhere Spannungen abgedeckt werden.

Mit IC1. integrated circuitIC ist die gängige Bezeichnung für einen integrierten Schaltkreis.2. ion chromatographyAnalysenverfahren, bei dem die Bestandteile eines Stoffgemischs getrennt und untersucht werden.-Link sollen Kunden frühzeitig Zugang zur GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Technologie erhalten und die Entwicklung bis zur Serienfertigung durchgängiger begleiten können. Das Angebot verbindet imecs Technologie, IC1. integrated circuitIC ist die gängige Bezeichnung für einen integrierten Schaltkreis.2. ion chromatographyAnalysenverfahren, bei dem die Bestandteile eines Stoffgemischs getrennt und untersucht werden.-Links Design-to-Manufacturing-Dienstleistungen und Polars Fertigungskompetenz zu einem Pfad von der Prototypenphase bis zur Hochvolumenproduktion.

Polar beschreibt den Schritt als Ausbau eines US-basierten Kompetenzzentrums für GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Leistungstechnologien. Im Fokus stehen dabei robuste Lieferketten für Verteidigung, künstliche Intelligenz und Automotive-Anwendungen. imec verweist auf mehr als 15 Jahre GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Forschung und will gemeinsam mit Polar eine skalierbare GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Plattform für Hochwirkungsgrad- und Hochgeschwindigkeits-Leistungslösungen aufbauen.

Polar fertigt bereits High-Voltage-, Power- und Sensor-Technologien und nennt neben GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt. auch BCD1. binary coded decimalZahlendarstellung, bei der jede Dezimalziffer durch ein eigenes vierstelliges Binärmuster kodiert wird.2. bulk chemical distribution3. bipolar-CMOS-DMOSBCD kombiniert bipolare, CMOS- und DMOS-Technologien auf einem Prozess., BiCMOS1. bipolar complementary metal-oxide semiconductor2. bipolar complementary metal-oxide-semiconductorBiCMOS verbindet bipolare Transistoren mit CMOS-Schaltungen., MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen., IGBTinsulated-gate bipolar transistorIGBT ist ein Leistungshalbleiter für hohe Spannungen und Ströme. und Optical MEMS1. microelectromechanical system2. micromachines3. microelectromechanical systemsMEMS beschreibt mikromechanische Strukturen auf einem Chip. als Teil seines Portfolios. IC1. integrated circuitIC ist die gängige Bezeichnung für einen integrierten Schaltkreis.2. ion chromatographyAnalysenverfahren, bei dem die Bestandteile eines Stoffgemischs getrennt und untersucht werden.-Link ergänzt das Angebot mit Dienstleistungen von ASICapplication-specific integrated circuitelektronische Schaltung, die als integrierter Schaltkreis realisiert wurdes in CMOS1. complementary metal-oxide semiconductorSchaltungstechnik mit sich ergänzenden n- und p-Kanal-MOS-Transistoren, die besonders wenig statische Leistung benötigt.2. complementary metal-oxide-semiconductorCMOS ist eine grundlegende Halbleitertechnologie für digitale und analoge Schaltungen. über integrierte Photonik bis zu 2,5D- und 3D-Packaging sowie kundenspezifischer Waferverarbeitung.

Quelle: imec

Hintergrund dazu: Verbindungshalbleiter

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