Renesas Electronics hat eine erste Familie diskreter 100-V-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Leistungstransistoren vorgestellt. Die vier Typen RTP100E005G1FL, RTP100E2P6G1FL, RTP100E1P8G1FL-DSCdifferential scanning calorimetryThermoanalytik, die beim Erhitzen oder Abkühlen auftretende Wärmestromunterschiede misst. und RTP100E1P2G1FL-DSCdifferential scanning calorimetryThermoanalytik, die beim Erhitzen oder Abkühlen auftretende Wärmestromunterschiede misst. sind als E-mode-Bauelemente ausgelegt und zielen auf hohe Leistungsdichte bei niedrigeren Schaltverlusten.
Im Vergleich zu ähnlichen GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Bauelementen sollen die Transistoren bis zu 35 % niedrigere Werte beim Hard-Switching-FOMfigure of meritKombinierte Kennzahl zur Bewertung des Schaltverhaltens und der Verluste. und bis zu 63 % niedrigere Werte beim Soft-Switching-FOMfigure of meritKombinierte Kennzahl zur Bewertung des Schaltverhaltens und der Verluste. erreichen. Je nach Anwendung und Power-Conversion-Architektur sind zudem bis zu 40 bis 70 % geringere Schaltverluste sowie bis zu eine Verdopplung der Leistungsdichte auf Systemebene möglich.
Die Familie deckt mehrere RDS(on)-Werte ab: Der RTP100E005G1FL liegt bei typischerweise 5 mΩ, der RTP100E2P6G1FL bei 2,6 mΩ. Die dualseitig gekühlten Varianten RTP100E1P8G1FL-DSCdifferential scanning calorimetryThermoanalytik, die beim Erhitzen oder Abkühlen auftretende Wärmestromunterschiede misst. und RTP100E1P2G1FL-DSCdifferential scanning calorimetryThermoanalytik, die beim Erhitzen oder Abkühlen auftretende Wärmestromunterschiede misst. kommen auf 1,8 mΩ beziehungsweise 1,2 mΩ. Damit sollen sich unterschiedliche Leistungsstufen und Anwendungen abdecken lassen.
Verpackt sind die Bausteine in FCLGAflip-chip land grid arrayEin Gehäusetyp mit kontaktierbarer Fläche am Gehäuseboden.-Gehäusen mit siliziumkompatiblem Footprint. Dadurch sollen Entwickler von Layouts für Silizium-MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s auf GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt. umsteigen können, ohne die Leiterplatte wesentlich überarbeiten zu müssen.
Adressiert werden Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, darunter AIartificial intelligence-Rechenzentren, humanoide Robotik und Fabrikautomation. Genannt werden außerdem synchrone Gleichrichtung, Multiphase-Buck-Wandlung und industrielle Motorantriebe. Passende Evaluierungsboards sind ebenfalls verfügbar.
Renesas Electronics bietet damit eine 100-V-GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Familie an, die neben den niedrigen On-Widerständen vor allem auf reduzierte Schaltverluste und eine einfache Überführung bestehender Layouts ausgelegt ist.