Laut einem Bericht der südkoreanischen Zeitung Money Today prüft Samsung Electronics eine Erweiterung seiner 4nm-Foundry-Kapazitäten. Grund ist die stark gestiegene Nachfrage nach Base-Dies für HBM4-Speicherstapel, die die vorhandene Fertigungskapazität bereits an die Auslastungsgrenze bringt. Der Base-Die bildet bei High-Bandwidth-Memory-Stacks die logische Schnittstellenschicht zwischen den DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher-Lagen und dem Host-Prozessor und wird typischerweise in fortgeschrittenen Logikprozessen statt in reinen Speicherprozessen gefertigt.
Mit dem Wechsel von HBM3E zu HBM4 verschiebt sich die Fertigung dieser Base-Dies zunehmend zu feineren Logiknodes, da mehr Funktionalität wie erweiterte Interface-Logik und Power-Management direkt in den Base-Die integriert wird. Das erhöht den Bedarf an Foundry-Kapazität bei Herstellern wie Samsung Foundry erheblich, zumal gleichzeitig die klassische Logik- und Speicherproduktion um Kapazitäten konkurriert.
Blick auf HBM5 und 2nm
Parallel zur kurzfristigen Kapazitätsfrage beschäftigt sich Samsung offenbar bereits mit der übernächsten HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger.-Generation. Für HBM5-Produkte wird die Einrichtung einer dedizierten 2nm-Fertigungslinie für Base-Dies erwogen. Dies deutet darauf hin, dass der Trend zu immer komplexeren, in fortschrittlichen Logikprozessen gefertigten Base-Dies sich fortsetzen dürfte, während die eigentlichen Speicherzellen weiterhin in spezialisierten DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher-Prozessen entstehen.
Für den HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger.-Markt insgesamt zeigt sich damit eine zunehmende Verzahnung von Logik- und Speicherfertigung. Foundry-Kapazitäten an fortschrittlichen Nodes werden so zu einem kritischen Engpassfaktor für die gesamte KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Beschleuniger-Lieferkette, da HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger. als Speicheranbindung für High-End-KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Chips praktisch alternativlos ist.