Laut Berichten bereitet Samsung Electronics einen deutlichen Kapazitätsausbau für High-Bandwidth-Memory der vierten Generation (HBM4) vor. Bereits 2027 soll die Produktionsmenge dieser Speicherklasse mindestens verdoppelt werden. Hintergrund ist die anhaltend angespannte Versorgungslage auf dem Speichermarkt, die sowohl klassische DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher- als auch High-End-Segmente betrifft.
HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger.-Speicher wird vor allem in KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Beschleunigern und Hochleistungsrechenzentren eingesetzt, wo hohe Bandbreite bei kompaktem Formfaktor gefragt ist. Die Fertigung basiert auf gestapelten DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher-Dies, die über Through-Silicon-Vias (TSV1. through silicon viaSenkrechte, leitfähige Durchkontaktierung durch Silizium zur elektrischen Verbindung gestapelter Chips.2. through-silicon viaEin TSV ist eine vertikale Verbindung durch das Silizium und dient der elektrischen Durchkontaktierung in 3D- und Packaging-Strukturen.s) und fortschrittliche Packaging-Verfahren miteinander verbunden werden. Diese Technologie ist deutlich komplexer und kostenintensiver als klassischer planarer Speicher, bringt aber auch höhere Margen.
Strategische Verschiebung im Produktportfolio
Der geplante Kapazitätsausbau spiegelt eine branchenweite Tendenz wider, Fertigungsressourcen verstärkt auf höherwertige Speicherprodukte zu verlagern. Da die Nachfrage nach KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Infrastruktur ungebrochen hoch bleibt, verschieben große Speicherhersteller ihre Waferkapazitäten zunehmend von Standard-DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher hin zu HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger.-Varianten. Dies verschärft wiederum die Verknappung bei konventionellem Speicher, was sich in steigenden Preisen für PC1. personal computer2. programmable controller3. process controlÜberwachung und gezielte Regelung der Fertigungsbedingungen zur Einhaltung der Produktspezifikationen.4. photoconductivityElektrische Leitfähigkeit, die durch Lichteinfall beeinflusst wird.- und Server-DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher niederschlägt.
Für Samsung ist der Ausbau der HBM4-Fertigung auch ein Signal im Wettbewerb mit SK Hynix und Micron, die ebenfalls ihre Kapazitäten für fortschrittliche Speicherlösungen erweitern. Die Entwicklung dürfte die Struktur der globalen Speicherlieferketten in den kommenden Jahren spürbar beeinflussen, insbesondere im Hinblick auf Investitionen in neue Packaging-Technologien und Advanced-Node-Fertigungslinien.