Der Markt für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.) in China verzeichnet derzeit ein deutliches Nachfragewachstum, das vor allem auf zwei Anwendungsfelder zurückgeht: Ladeinfrastruktur mit hohen Spannungen für Elektrofahrzeuge sowie Stromversorgungskomponenten für KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Server. Beide Segmente benötigen leistungsfähige Wide-Bandgap-Bauelemente, die gegenüber klassischem Silizium höhere Sperrspannungen, geringere Schaltverluste und bessere Wärmeableitung bieten – Eigenschaften, die SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s und -Dioden für Hochleistungsanwendungen prädestinieren.
Laut Berichten aus der Lieferkette sind die Fertigungskapazitäten für SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Wafer und -Bauelemente bei chinesischen Foundries inzwischen so stark ausgelastet, dass Anfragen ausländischer Kunden zum Teil abgelehnt werden. Dies liegt unter anderem daran, dass die epitaktische Beschichtung von SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Substraten sowie die anschließende Prozessierung deutlich aufwendiger und kapazitätsintensiver sind als bei klassischen Siliziumprozessen, wodurch sich Engpässe schneller bemerkbar machen als in etablierten Silizium-Fabs.
Verlagerung nach Taiwan
Als Folge der Kapazitätsengpässe verlagert sich ein Teil der Auftragsvergabe nach Taiwan. Genannt werden dabei Unternehmen wie Episil, HYS und Diodes Incorporated, die über eigene Fertigungslinien oder Kooperationen im Bereich Verbindungshalbleiter verfügen und nun von der Überlaufnachfrage profitieren könnten. Für die taiwanesische Halbleiterindustrie, die traditionell stark auf Silizium-basierte Logik- und Speicherfertigung ausgerichtet ist, eröffnet sich damit eine zusätzliche Wachstumschance im Bereich Leistungshalbleiter.
Die Entwicklung unterstreicht zudem, wie eng die Nachfrage nach SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Bauelementen inzwischen mit dem Ausbau von KIArtificial IntelligenceKI bezeichnet Verfahren, die Aufgaben durch datengetriebene Modelle automatisieren.-Rechenzentren verknüpft ist, deren Stromversorgungssysteme zunehmend auf effizientere Leistungswandlung angewiesen sind. Sollte sich der Kapazitätsengpass in China fortsetzen, dürfte dies mittelfristig zu einer breiteren Diversifizierung der globalen SiCsilicon carbideSiC ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter für leistungsstarke und effiziente Energiewandlung.-Lieferkette führen.