Imec berichtet über Fortschritte bei der Anpassung chemisch verstärkter Resists (CARcomputer-aided researchSoftwarebezogenes Verfahren oder Werkzeug zur Entwicklung, Steuerung oder Verarbeitung von Daten.) an die Anforderungen der High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-EUVextreme ultravioletExtrem ultraviolette Strahlung; die EUV-Lithografie nutzt Licht mit ungefähr 13,5 nm Wellenlänge.-Lithografie. Gemeinsam mit Materiallieferanten wurden bestehende CARcomputer-aided researchSoftwarebezogenes Verfahren oder Werkzeug zur Entwicklung, Steuerung oder Verarbeitung von Daten.-Plattformen so weiterentwickelt, dass sie Linienstrukturen mit einem Pitch von 22 Nanometern in Einfachbelichtung auflösen können. Diese Auflösung ist eine Voraussetzung für die geplanten Logikfertigungsknoten A14 und A10, die auf High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-EUVextreme ultravioletExtrem ultraviolette Strahlung; die EUV-Lithografie nutzt Licht mit ungefähr 13,5 nm Wellenlänge.-Belichtungssysteme mit einer numerischen Apertur von 0,55 setzen.
Chemisch verstärkte Resists gelten seit Jahren als Arbeitspferd der optischen Lithografie, stoßen jedoch bei extrem kleinen Strukturbreiten an Grenzen hinsichtlich Auflösung, Linienrauigkeit (LWRlinewidth reduction) und Photonenschrot-bedingter Stochastik. Mit dem Wechsel zu High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-Systemen verschärfen sich diese Herausforderungen zusätzlich, da kleinere Pitches eine noch präzisere Kontrolle der Belichtungsdosis und der chemischen Verstärkungsmechanismen im Resist erfordern. Imec positioniert die aktuellen Resultate als Nachweis, dass CARcomputer-aided researchSoftwarebezogenes Verfahren oder Werkzeug zur Entwicklung, Steuerung oder Verarbeitung von Daten.-basierte Materialien trotz dieser Hürden für mindestens eine weitere Knotengeneration konkurrenzfähig bleiben können, bevor möglicherweise metalloxidbasierte Resists stärker in den Vordergrund rücken.
Bedeutung für die Lithografie-Roadmap
Die Einfachbelichtung bei 22 nm Pitch ist insofern relevant, als sie den Verzicht auf aufwendige Multi-Patterning-Verfahren ermöglichen könnte, was Prozesskosten und Durchlaufzeiten reduziert. Für Anlagenhersteller und Fabs bedeutet dies, dass etablierte CARcomputer-aided researchSoftwarebezogenes Verfahren oder Werkzeug zur Entwicklung, Steuerung oder Verarbeitung von Daten.-Chemie und die dazugehörige Prozessinfrastruktur möglicherweise länger genutzt werden können, während parallel an alternativen Resist-Materialien für die übernächste Knotengeneration geforscht wird. Damit liefert Imec einen konkreten Datenpunkt für die Entscheidung, wie der Übergang zu High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-EUVextreme ultravioletExtrem ultraviolette Strahlung; die EUV-Lithografie nutzt Licht mit ungefähr 13,5 nm Wellenlänge. in der Serienfertigung materialseitig gestaltet werden kann.