Infineon hat mit OptiMOS 7 40 V ein Portfolio schaltoptimierter Power-MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s vorgestellt, das für AIartificial intelligence Server, Rechenzentren und Telekom-Infrastruktur ausgelegt ist. Die Bausteine sind für hochfrequente DC-DCdirect current to direct currentEin DC-DC-Wandler setzt eine Gleichspannung auf ein anderes Spannungsniveau um.-Wandlung konzipiert und sollen Entwicklern helfen, Wirkungsgrad und Leistungsdichte in räumlich stark begrenzten Systemen zu verbessern.
Adressiert werden vor allem die niederohmigen Sekundärstufen von Hochvolt-Intermediate-Bus-Convertern in entstehenden 800-V-DCdirect currentElektrischer Strom, der in gleichbleibender Richtung fließt.-Architekturen sowie Intermediate-Bus-Convertern in 48-V-Power-Architekturen. In geeigneten Topologien sind Schaltfrequenzen von über 1 MHzmegahertzFrequenzeinheit; 1 MHz entspricht einer Million Schwingungen pro Sekunde. vorgesehen. Nach Infineon soll die neue Generation gleichzeitig Leit- und Schaltverluste senken und damit mehr Leistung auf engem Raum ermöglichen.
Im Vergleich des Source-down-Bausteins IQE010N04LM7CGSC mit dem OptiMOS-6-Vorgänger IQE013N04LM6CGSC sinkt der maximale RDS1. remote dispense system2. resist dispense systemHilfsmittel oder Material der Lithografie, mit dem Muster auf Wafer übertragen werden.(on)-Wert bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V um bis zu 33 Prozent. Die Kenngrößen für Qoss und Qg reduzieren sich jeweils um bis zu 35 Prozent. Das Portfolio ist auf eine Gate-Ansteuerung mit 5 V optimiert und unterstützt damit Gate-Drive-Umgebungen, wie sie auch bei GaNgallium nitrideGaN wird für leistungsdichte und effiziente Power-Schaltungen eingesetzt.-Schaltungen verwendet werden.
Die Bausteine sind für Junction-Temperaturen bis 175 °C spezifiziert. Für kompakte Layouts und das Wärmemanagement bietet Infineon Source-down- und Dual-Side-Cooling-Gehäusevarianten an. Die Typen IQE010N04LM7CG und IQE010N04LM7CGSC kommen in PQFN-Gehäusen mit 3,3 mm × 3,3 mm und Center-Gate-Design; beide erreichen einen maximalen RDS1. remote dispense system2. resist dispense systemHilfsmittel oder Material der Lithografie, mit dem Muster auf Wafer übertragen werden.(on) von 1,0 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung. Ergänzend führt das Portfolio die Typen ISCH65N04LM7SC, ISCH69N04LM7SC und ISC011N04LM7SC in PQFN-Gehäusen mit 5 mm × 6 mm und Dual-Side-Cooling, deren maximale RDS1. remote dispense system2. resist dispense systemHilfsmittel oder Material der Lithografie, mit dem Muster auf Wafer übertragen werden.(on)-Werte bei 0,65 mΩ, 0,69 mΩ und 1,1 mΩ liegen.
Das Portfolio ist verfügbar und bereits in Serienproduktion. Ein Anwendungsdokument enthält Beispiele und Leistungsdaten für die Einordnung der Bausteine in entsprechende Stromversorgungsarchitekturen.