Infineon Technologies hat neue Automotive-MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s der OptiMOS-7-Familie vorgestellt, die das TOLL-Gehäuse auf ein höheres Leistungsniveau bringen. Die Bausteine kombinieren die OptiMOS-7-Halbleitertechnologie mit einer clipbasierten Interconnection und erreichen im etablierten 10 × 12 mm²-Footprint einen besonders niedrigen Einschaltwiderstand.
Der Ansatz richtet sich an Fahrzeuganwendungen, bei denen Leistungsdichte und Wirkungsgrad steigen, ohne dass dafür größere Package-Architekturen oder ein neues Leiterplattenlayout nötig werden sollen. Infineon adressiert damit den Zielkonflikt zwischen höherer Leistung und begrenztem Bauraum in 12-V- und 48-V-Systemen.
Die neue Reihe umfasst 40-V-, 80-V- und 100-V-MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s. Die angegebenen RDS1. remote dispense system2. resist dispense systemHilfsmittel oder Material der Lithografie, mit dem Muster auf Wafer übertragen werden.(on)-Werte liegen bei 0,24 mΩ, 0,57 mΩ und 0,88 mΩ. Gegenüber den jeweils referenzierten Vorgängerprodukten der OptiMOS-TOLL-Serie entspricht das Verbesserungen um 65 Prozent, 48 Prozent und 37 Prozent.
Neben den geringeren Leitungsverlusten verbessern die clipbasierte Verbindung und die OptiMOS-7-Technologie auch Kapazitäts- und Gate-Charge-Eigenschaften. Dadurch sinken zusätzlich die Schaltverluste. Ein engeres Gate-Threshold-Voltage-Fenster soll außerdem die Stromaufteilung bei Parallelschaltung verbessern und das Risiko von Schäden an einzelnen MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s verringern.
Für Entwickler eröffnet das mehrere Optionen: mehr Effizienz, weniger Wärmeentwicklung, höhere Stromtragfähigkeit oder weniger parallel geschaltete Bauteile – jeweils weiterhin im gleichen Package. Vorgesehen sind die neuen MOSFET1. metal-oxide semiconductor field effect transistorSpannungsgesteuerter Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate; Grundbaustein moderner integrierter Schaltungen.2. metal-oxide-semiconductor field-effect transistorMOSFET ist ein standardisierter Feldeffekttransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen.s für leistungsstarke 12-V- und 48-V-Anwendungen wie EPS, Battery-Disconnect-Schalter, Motorantriebe und HVhigh voltageElektrische Kenngröße zur Beschreibung oder Prüfung des Betriebsverhaltens einer Schaltung.-LVlatent variableNicht direkt beobachtbare Größe, die in einem statistischen Modell aus Messdaten erschlossen wird.-DCdirect currentElektrischer Strom, der in gleichbleibender Richtung fließt.-DCdirect currentElektrischer Strom, der in gleichbleibender Richtung fließt.-Wandler.
Infineon nennt die neuen Bausteine bereits als verfügbar. Das TOLL-Gehäuse bleibt damit als kompakte Bauform erhalten, während die elektrischen Kennwerte in Richtung geringerer Verluste und höherer nutzbarer Leistung weiter verschoben werden.