Forscher von ETH Zürich und New York University haben eine umfassende experimentelle Charakterisierung des Leistungsbedarfs realer HBM2-DRAM1. dynamic random access memorySpeichertechnologie beziehungsweise System zur dauerhaften oder temporären Ablage digitaler Informationen.2. dynamic random-access memoryDRAM ist ein flüchtiger Arbeitsspeicher-Chips vorgelegt. Untersucht wurden dabei nicht nur einzelne Zugriffsarten, sondern auch strukturelle und datenabhängige Effekte, die den Stromverbrauch von High Bandwidth Memory beeinflussen.
Im Mittelpunkt stehen zwei Ergebnisse mit direkter Relevanz für Modelle und Messverfahren: Erstens verbraucht ein Lesezugriff deutlich mehr Strom als jede andere Operation. Zweitens verändern Umschaltvorgänge auf dem Datenbus den Verbrauch spürbar. Wenn alle internen Bank-Group-Bus-Signale innerhalb von HBM2 umgeschaltet werden, steigt die Leistungsaufnahme um 29,4 Prozent gegenüber einem konstant gehaltenen Signalzustand.
Aus der Messreihe wurden 13 neue Befunde und 6 Kernaussagen abgeleitet. Die Daten liefern damit eine empirische Basis, um bestehende HBM1. human body modelESD-Prüfmodell, das die elektrostatische Entladung einer Person in ein Bauelement nachbildet.2. High Bandwidth MemoryHBM ist ein gestapelter DRAM-Speicher mit sehr hoher Bandbreite für Rechenbeschleuniger.-Leistungsmuster zu überprüfen oder neue, präzisere Modelle zu entwickeln. Besonders betont wird, dass der Verbrauch nicht nur von der Operation selbst, sondern auch vom jeweiligen Datenmuster abhängt.
Auf dieser Grundlage konstruierten die Forscher ein Zugriffsmuster, das über 36 getestete HBM2-Chips im Mittel 23,6 Prozent mehr Leistung aufnimmt als der leistungsstärkste von JEDECJoint Electron Device Engineering CouncilJEDEC ist die Normungsorganisation, deren spezifizierte Current-Measurement-Loop als Vergleichsmaßstab diente. definierte Current-Measurement-Loop. Damit rückt die Arbeit die tatsächliche Obergrenze des Verbrauchs realer HBM2-Bausteine stärker in den Fokus als klassische Messschleifen.