Samsung Electronics und ASMLAdvanced Semiconductor Materials LithographyASML ist ein führender Anbieter von Lithografiesystemen für die Halbleiterfertigung. haben eine Erweiterung ihrer strategischen Partnerschaft angekündigt, die auf die Einführung von High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-EUVextreme ultravioletExtrem ultraviolette Strahlung; die EUV-Lithografie nutzt Licht mit ungefähr 13,5 nm Wellenlänge.-Lithografie in der Serienfertigung abzielt. Kernstück der Vereinbarung ist der Beitritt Samsungs zu einer branchenweiten Initiative, die ein neues 12-Zoll-Photomasken-Format standardisieren soll. Größere Maskensubstrate sollen der wachsenden Komplexität bei High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-Systemen begegnen, da die verwendeten Reticles bei den heutigen 6-Zoll-Formaten zunehmend an Grenzen hinsichtlich Durchbiegung, Wärmemanagement und Musterdichte stoßen.
Warum größere Photomasken nötig werden
High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-EUVextreme ultravioletExtrem ultraviolette Strahlung; die EUV-Lithografie nutzt Licht mit ungefähr 13,5 nm Wellenlänge.-Scanner arbeiten mit einer numerischen Apertur von 0,55 und nutzen ein anamorphotisches Abbildungssystem mit unterschiedlichen Vergrößerungsfaktoren in X- und Y-Richtung. Das reduziert den nutzbaren Belichtungsbereich auf der Maske gegenüber klassischen 0,33-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-Systemen erheblich. Ein größeres 12-Zoll-Substrat schafft hier zusätzlichen Spielraum, um trotz der asymmetrischen Optik ganze Chipfelder in einem Belichtungsschritt unterzubringen, ohne auf aufwendiges Stitching mehrerer Teilbelichtungen zurückgreifen zu müssen.
Für Samsung ist der Schritt Teil einer längerfristigen Strategie, bei fortgeschrittenen Logik- und Speicherknoten technologisch nicht ins Hintertreffen zu geraten. Die Foundry-Sparte des Unternehmens steht im Wettbewerb um Kunden für Knoten unterhalb von 2 Nanometern, bei denen High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-EUVextreme ultravioletExtrem ultraviolette Strahlung; die EUV-Lithografie nutzt Licht mit ungefähr 13,5 nm Wellenlänge. als möglicher Wegbereiter für engere Pitches bei kritischen Schichten gilt. Eine frühzeitige Beteiligung an der Standardisierung der Maskeninfrastruktur soll sicherstellen, dass Zulieferer für Maskenrohlinge, Pellikel und Inspektionssysteme rechtzeitig kompatible Produkte bereitstellen.
Die engere Anbindung an ASMLAdvanced Semiconductor Materials LithographyASML ist ein führender Anbieter von Lithografiesystemen für die Halbleiterfertigung. betrifft nach Unternehmensangaben nicht nur die Photomasken-Initiative, sondern auch gemeinsame Entwicklungsarbeiten zu Prozessintegration und Metrologie rund um kommende High-NAnumerical apertureOptische Kenngröße für den erfassbaren Lichtwinkel eines Objektivs und seine Auflösungsfähigkeit.-Systeme. Damit reiht sich Samsung neben anderen führenden Chipherstellern in eine wachsende Gruppe von Unternehmen ein, die frühzeitig Einfluss auf die Infrastrukturstandards der nächsten Lithografie-Generation nehmen wollen, bevor die Technologie in die breite Serienfertigung übergeht.